MOSFET doppio II di ohm TO-220 PowerMESH di N-MANICA 600V 1,8 del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere IRFBC30]
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRFBC30
N - MANICA 600V - Ω 1,8 - 3.6A - MOSFET di TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
| TIPO | VDSS | RDS (sopra) | Identificazione |
| IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω TIPICO 1,8 di RDS (sopra) =
■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt
■LA VALANGA 100% HA PROVATO
■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE
■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO
DESCRIZIONE
Il PowerMESHTM ΙΙ è l'evoluzione della prima generazione della MAGLIA OVERLAYTM. I perfezionamenti della disposizione introdotti notevolmente per migliorare la figura di Ron*area di merito mentre tenendo il dispositivo al bordo di attacco per che velocità di commutazione di preoccupazioni, tassa del portone ed irregolarità.
APPLICAZIONI
■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE E AD ALTA VELOCITÀ
■ALIMENTAZIONI ELETTRICHE DI MODO DI SWITH (SMPS)
■CONVERTITORI DI DC-AC PER L'APPARECCHIO PER SALDARE ED I GRUPPI DI CONTINUITÀ ED IL DRIVER DEL MOTORE
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VDS | tensione di Scolo-fonte (VGS = 0) | 600 | V |
| VDGR | Tensione del portone dello scolo (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
| VGS | tensione di Portone-fonte | ± 20 | V |
| Identificazione | Vuoti corrente (continuo) a TC = ℃ 25 | 3,6 | |
| Identificazione | Vuoti corrente (continuo) a TC = ℃ 100 | 2,3 | |
| IDM (•) | Corrente dello scolo (pulsata) | 14 | |
| Ptot | Dissipazione totale a TC = ℃ 25 | 75 | W |
| Ridurre le imposte su fattore | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Pendio di punta di tensione di recupero del diodo | 3 | V/ns |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -65 - 150 | ℃ |
| Tj | Temperatura di giunzione di Max. Operating | 150 | ℃ |
(•) Larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro
(1) ISD ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di di/dt di VDD di Tj
RAPPRESENTAZIONE SCHEMATICA INTERNA
DATI MECCANICI TO-220

