TRIAC STANDARD del mosfet CI di potere del transistor del Mosfet di potere di BTA16-600BRG
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
MAX6301CSA | 3120 | MASSIMO | 14+ | SOP8 |
MUR1520G | 3120 | SU | 14+ | TO-220 |
TPS71501DCKR | 3120 | TI | 14+ | SC70-5 |
ULN2803LW | 3120 | ALLEGRO | 16+ | SOP18 |
LTC1728ES5 | 3122 | LINEARE | 16+ | SOT153 |
NC7WZ16P6X | 3125 | FAIRCHILD | 13+ | SOT-363 |
MBi5026GF | 3130 | MBI | 15+ | SOP24 |
DS15BA101SDE | 3144 | NS | 16+ | LLP16 |
L6569AD013 | 3145 | St | 16+ | SOP-8 |
PIC12F683-I/P | 3145 | MICROCHIP | 14+ | DIP8 |
IR2110S | 3168 | IR | 14+ | SOP16 |
HD74LS48P | 3174 | HITACHI | 14+ | IMMERSIONE |
2N5458 | 3200 | FAIRCHILD | 16+ | TO-92 |
2SC2655 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | TO-92L |
2SK405 | 3200 | NEC | 13+ | SOT523 |
ATMEGA64-16AU | 3200 | ATMEL | 15+ | QFP |
B3F-1000 | 3200 | OMRON | 16+ | IMMERSIONE |
CD4046BE | 3200 | TI | 16+ | IMMERSIONE |
HCPL4503 | 3200 | FSC | 14+ | IMMERSIONE |
HEF4538BP | 3200 | 14+ | IMMERSIONE | |
IPD090N03 | 3200 | 14+ | TO-252 | |
IRL3803S | 3200 | IR | 16+ | TO-263 |
KA3525 | 3200 | FSC | 16+ | DIP-16 |
L9822EPD | 3200 | St | 13+ | SOP-20 |
LM4040CIM3-2.5 | 3200 | NS | 15+ | SOT-23 |
MAX3386ECUP-T | 3200 | MASSIMO | 16+ | TSSOP |
MC14504BCP | 3200 | MOT | 16+ | IMMERSIONE |
PIC18F8680-I/PT | 3200 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
SG3525 | 3200 | St | 14+ | IMMERSIONE |
SN74AHCT594PWR | 3200 | TI | 14+ | TSSOP |
BTB16 B
TRIAC STANDARD
CARATTERISTICHE
. ALTA CAPACITÀ DELLA PUNTA DI CORRENTE
. COMMUTAZIONE: (dV/dt) c > 10V/µs
. Famiglia di BTA:
TENSIONE d'ISOLAMENTO = 2500V (RMS)
(UL HA RICONOSCIUTO: E81734)
DESCRIZIONE
La famiglia del triac di BTA/BTB16 B è dispositivi passivati di vetro di rendimento elevato PNPN.
Queste parti sono suitables per le applicazioni per tutti gli usi dove l'alta capacità della punta di corrente è richiesta. Applicazione quali controllo di fase e la commutazione statica su induttivo o sul carico resistivo.
VALUTAZIONI ASSOLUTE (valori limite)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità | ||
L'IT (RMS) |
Corrente dello su stato di RMS (angolo di conduzione 360°) |
BTA | TC = °C 80 | 16 | |
BTB | TC = °C 90 | ||||
ITSM |
Corrente di punta dello su stato dell'impulso non ripetitivo (Tj = 25°C) iniziale |
tp = spettrografia di massa 8,3 | 170 | ||
tp = spettrografia di massa 10 | 160 | ||||
I2t | Iunvaloredi2t | tp = spettrografia di massa 10 | 128 | I2s | |
dI/dt |
Tasso critico di aumento della corrente dello su stato Rifornimento del portone: IG = 500mA diG/dt = 1A/µs
|
Ripetitivo F = 50 hertz |
10 | A/µs | |
Non ripetitivo | 50 | ||||
Tstg Tj |
Gamma di temperature della giunzione di funzionamento e di stoccaggio |
- 40 + a 150 - 40 + a 125 |
°C | ||
Tl | Temperatura massima del cavo per la saldatura durante i 10 s a 4,5 millimetri dal caso | 260 | °C |
DATI MECCANICI DEL PACCHETTO
Plastica di TO220AB

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
