Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > IRF740PBF-BE3 mosfet doppio di potere del MOSFET di potere di MANICA TO-220

IRF740PBF-BE3 mosfet doppio di potere del MOSFET di potere di MANICA TO-220

IRF740PBF-BE3 mosfet doppio di potere del MOSFET di potere di MANICA TO-220
IRF740PBF-BE3 mosfet doppio di potere del MOSFET di potere di MANICA TO-220
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-source Voltage (VGS = 0):
400 V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
400 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC:
10 A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 o C:
6.3 A
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Elenco di collezioni

PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MODULO
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ ZIP
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MODULO
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MODULO
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MODULO
PWB130A40 120 SANREX 14+ MODULO
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ MODULO
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 SU 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 SU 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 St 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 ATMEL 15+ SOP-8
PS21563-P 500 MITSUBISH 12+ MODULO
BNX003-01 2058 MURATA 14+ IMMERSIONE
LTC4441IMSE 6207 LINEARE 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 IMPULSO 16+ CONTENTINO
P0926NL 8560 IMPULSO 16+ CONTENTINO
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 Lambda 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ MODULO
CXA3834M 2531 SONY 15+ CONTENTINO
NS8002 40000 NSIWAY 16+ CONTENTINO
MP8707EN-LF-Z 5854 MP 16+ CONTENTINO
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ CONTENTINO
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MODULO
PK55GB80 80 SANREX 12+ MODULO
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MODULO
LV8401V-TLM-E 5128 SU 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MODULO
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MODULO

IRF740 N - mosfet doppio di potere del MOSFET di potere di MANICA TO-220

■RDS TIPICO (sopra) = 0,48 Ω

■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt

■LA VALANGA 100% HA PROVATO

■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE

■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO

DESCRIZIONE

Questo MOSFET di potere è progettato facendo uso al del processo basato a disposizione consolidato del  della SOVRAPPOSIZIONE della MAGLIA della striscia della società. Questa tecnologia abbina e migliora le prestazioni rispetto alle parti standard dalle varie fonti.

APPLICAZIONI

■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE

■GRUPPO DI CONTINUITÀ (UPS)

■DC/DC COVERTERS PER LE TELECOMUNICAZIONI, INDUSTRIALE,

E MATERIALE DI ILLUMINAZIONE.

PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.