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IRG4BC30UD HA ISOLATO il mosfet BIPOLARE di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE

IRG4BC30UD HA ISOLATO il mosfet BIPOLARE di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE
IRG4BC30UD HA ISOLATO il mosfet BIPOLARE di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Elenco di collezioni

PBL3764 1040 ERICSSON 16+ PLCC
OB2268CCPA 5560 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LM5071MT-50 1794 NSC 14+ TSSOP-16
MAX14840EASA+T 5600 MASSIMO 14+ CONTENTINO
LT1372HVIS8 9466 LINEARE 15+ SOP-8
LTC2209CUP 506 LINEARE 14+ QFN
XCS05-3VQG100C 420 XILINX 12+ QFP100
LP2951CN 10000 NSC 15+ DIP-8
CS8967G 1376 MYSON 16+ QFP
LS1240A 10000 UTC 16+ DIP-8
BTS442E2 2100 14+ TO-220-5
ATMEGA8A-MU 6560 ATMEL 15+ QFN32
ATMEGA8A-MU 2500 ATMEL 15+ QFN-32
ICE1HS01G 2460 14+ SOP-8
AT93C86A-10PU-2.7 2500 ATMEL 13+ DIP-8
FW82801AA SL3Z2 3460 INTEL 16+ BGA
LM4040EIM3X-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LTC1144CS8#PBF 15010 LINEARE 15+ CONTENTINO
L9829 2201 St 16+ SOP-36
74HC595D 7500 15+ CONTENTINO
FDS4935A 2200 FSC 15+ SOP-8
ADR5041ARTZ-REEL7 2000 ANNUNCIO 16+ SOT-23
CM1200HB-66H 170 MITSUBISH 14+ MODULO
FQPF6N80 3460 FAIRCHILD 15+ TO-220
L9929 3136 St 15+ HSSOP24
74HC4051D 7500 15+ CONTENTINO
MAX280CPA 8800 MASSIMO 16+ IMMERSIONE
BQ24075RGTR 1560 TI 15+ QFN16
IRG4BC20KD-S 1500 IR 13+ TO-263
1SV149 3000 TOSHIBA 15+ TO-92S
74HC4046AD 7500 16+ CONTENTINO
MC14070BDR2G 38000 SU 16+ CONTENTINO
NPCD378HAKFX 3620 MUVOTON 16+ QFP
HCNW3120 3460 AVAGO 15+ SOP-8/DIP-8
AD8227ARZ 2450 ANNUNCIO 14+ CONTENTINO
MC68HC908GZ48CFA 3760 MOT 14+ QFP
BD534 5500 St 16+ TO-220
MC68HC908GZ60CFA 3766 MOT 14+ QFP
MC1458DT 9317 St 10+ CONTENTINO
PH1819-60 2050 PHILIPS 14+ TO-63

IRG4BC30UD

Mosfet BIPOLARE ISOLATO di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE

Caratteristiche

• Ultraveloce: Ottimizzato per le alte frequenze operative 8-40 chilocicli nella commutazione dura, >200 chilociclo nel modo sonoro

• La progettazione della generazione 4 IGBT fornisce la distribuzione più stretta di parametro e l'alta efficienza che la generazione 3

• IGBT co-ha imballato con HEXFREDTM ultraveloce, diodi antiparalleli di ultra-morbido-recupero per uso nelle configurazioni del ponte • Pacchetto dello standard industriale TO-220AB

Benefici

• Alte efficienze di offerta della generazione -4 IGBT disponibili

• IGBTs ha ottimizzato per gli stati specifici dell'applicazione

• I diodi di HEXFRED hanno ottimizzato per la prestazione con IGBTs. Le caratteristiche minimizzate di recupero richiedono less/no che snobba

• Ha progettato per essere una sostituzione «della visita improvvisata» per la generazione equivalente 3 il IR IGBTs dello standard industriale

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