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Mosfet CI CI elettrico di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFZ44NPBF

Mosfet CI CI elettrico di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFZ44NPBF
Mosfet CI CI elettrico di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFZ44NPBF
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Continuous Drain Current:
49 A
Pulsed Drain Current:
160 A
Power Dissipation:
94 W
Linear Derating Factor:
0.63 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Repetitive Avalanche Energy:
9.4 mJ
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ ZIP
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ IMMERSIONE
TCN75AVOA 5000 MICROCHIP 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 MICROCHIP 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ IMMERSIONE
TL072CP 5000 TI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ CONTENTINO
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ IMMERSIONE
TOP244YN 5000 POTERE 16+ TO-220
TS274CDT 5000 St 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 St 14+ SOP-14
ST DI UC3844BD 5000 St 14+ SOP8
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PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 PROLIFICO 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MASSIMO 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 St 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 TI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ ZIP
MAX483ESA 5117 MASSIMO 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

MOSFET di potere di HEXFET®

  • Tecnologia della trasformazione avanzata?
  • Su resistenza ultrabassa?
  • Valutazione dinamica di dv/dt?
  • temperatura di funzionamento 175°C?
  • Commutazione veloce?
  • Completamente valanga valutata?
  • Senza piombo

VDSS = 55V

RDS (sopra) = 17.5mΩ

Identificazione = 49A

Descrizione

I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.

Valutazioni massime assolute

Parametro Massimo. Unità
Identificazione @ TC = 25°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 49
Identificazione @ TC = 100°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 35
IDM Corrente pulsata dello scolo? 160
Palladio @TC = 25°C Dissipazione di potere 94 W
Fattore riducente le imposte lineare 0,36 W/°C
VGS Tensione di Portone--fonte ± 20 V
IAR Corrente della valanga? 25
ORECCHIO Energia ripetitiva della valanga? 9,4 mJ
dv/dt Recupero di punta dv/dt del diodo 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Giunzione di funzionamento e

Gamma di temperature di stoccaggio

 -55 + a 175 °C
Temperatura di saldatura, per 10 secondi 300 (1.6mm dal caso) °C
Montando coppia di torsione, 6-32 o srew M3 10 lbf•in (1.1N•m)

Profilo del pacchetto di TO-220AB

Le dimensioni sono indicate nei millimetri (pollici)

Informazioni di segno della parte di TO-220AB

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