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Mosfet di commutazione AUTOMOBILISTICO di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di IRF3205ZPBF

Mosfet di commutazione AUTOMOBILISTICO di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di IRF3205ZPBF
Mosfet di commutazione AUTOMOBILISTICO di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di IRF3205ZPBF
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited):
110 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
78 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited):
75 A
Pulsed Drain Current:
440 A
Power Dissipation:
170 W
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

ELENCO DI COLLEZIONI

ICL3222CB 4100 INTERSIL 12+ SOP18
SGA-5486 4100 SIRENZA 16+ SMT86
TEA1098ATV 4100 12+ SSOP
NCP1271ADR 4110 SU 16+ SOP7
FKV550T 4111 SANKEN 16+ TO220F
EPM570F256C5N 4117 ALTERA 16+ BGA256
MC33063AP1 4117 SU 16+ DIP8
DS32ELX0421SQE 4120 NS 16+ LLP48
P2503NPG 4120 NIKOS 14+ DIP8
TPS70751PWPR 4120 TI 16+ TSSOP
HCPL4504 4121 AVAGO 16+ IMMERSIONE
OP177GP 4122 ANNUNCIO 15+ DIP-8
24LC512-I/SM 4130 MICROCHIP 16+ SOP-8
OZ8602GN 4141 MICRO 15+ SOP-16
CNY70 4177 VISHAY 12+ DIP-4
DS26LS32ACMX 4177 NS 16+ SOP16
AD517JH 4200 ANNUNCIO 12+ TO-78
ATMEGA169PV-8AU 4200 ATMEL 16+ QFP-64
CDRH2D18/HP-2R2NC 4200 SUMIDA 16+ SMD
IPD06N03LAG 4200 16+ TO-252
OP07CP 4200 TI 16+ DIP8
PIC18F2520-I/SO 4200 MICROCHIP 16+ SOP-28
SG6841DZ 4200 SG 14+ DIP-8
SN75HVD3082EP 4200 TI 16+ IMMERSIONE
BSP450 4210 16+ SOT223
HD74LS14P-E-Q 4210 RENESAS 15+ DIP14
TLZ5V1C 4210 VISHAY 16+ LL-34
PCF8593T 4211 15+ SOP8
BDW94C 4250 St 12+ TO-220
LQM21FN1R0N00D 4250 MURATA 16+ SMD
AT93C66-10SU-2.7 4252 ATMEL 12+ SOP-8
2N3906 4287 SU 16+ TO-92
DS18B20 4444 MASSIMO 16+ TO-92
95SQ015 4456 IR 16+ DO-204AD
PDTC143ET 4477 16+ SOT-23
BZX284-C12 4480 PHI 16+ SOD-323
1SMB5920BT3G 4500 SU 14+ DO-214AA
1SMB5922BT3G 4500 SU 16+ DO-214AA
1SMB5929BT3G 4500 SU 16+ DO-214AA
82C250T 4500 15+ CONTENTINO
ADM202EAN 4500 ANNUNCIO 16+ IMMERSIONE

IRF3205ZPBF

Mosfet di commutazione AUTOMOBILISTICO di potere basso del mosfet di potere del MOSFET

Caratteristiche

?► Tecnologia della trasformazione avanzata?

?► Su resistenza ultrabassa

?► ? temperatura di funzionamento 175°C?

?► Commutazione veloce?

?► Valanga ripetitiva permessa fino a Tjmax

?► Senza piombo

Descrizione

Specificamente progettato per le applicazioni automobilistiche, l'identificazione = 75A questo MOSFET di potere di HEXFETÆ utilizza le ultime tecniche di trattamento per raggiungere estremamente - il onresistance basso per area del silicio. Le caratteristiche supplementari di questa progettazione sono una temperatura di funzionamento della giunzione 175°C, la velocità velocemente di commutazione e valutazione ripetitiva migliore della valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso nelle applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

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