IRF2807 3 Pin Transistor, circuiti integrati di commutazione di elettronica del mosfet IC di potere
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF2807 MOSFET istantaneo di potere di elettronica di IC del chip del circuito integrato del transistor CI
Caratteristiche dell'uscita:
la l ha avanzato la tecnologia della trasformazione
l Su resistenza ultrabassa
l valutazione dinamica di dv/dt
l temperatura di funzionamento di 175°C
l commutazione veloce
l completamente valanga valutata
Specifiche chiave:
I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio.
Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.
Valutazioni massime assolute
Identificazione @ corrente continua dello scolo TC = 25°C, VGS @ 10V
un'identificazione di 82 @ corrente continua dello scolo TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsati vuotano il palladio corrente del 280 @TC = 25°C
Ridurre le imposte lineare della dissipazione di potere 230 W scompone 1,5 W/°C in fattori
± 20 V di tensione di Portone--fonte di VGS
corrente 43 A della valanga di IAR
ripetitivo 23 mJ dv/dt di energia della valanga dell'ORECCHIO
di punta 5,9 V/ns TJ di recupero dv/dt del diodo
Giunzione di funzionamento e -55 + a 175
Temperatura di saldatura della gamma di temperature di stoccaggio di TSTG, per 10 il °C di secondi 300 (1.6mm dal caso) che monta coppia di torsione, 6-32 o srew M3 10 lbf•in (1.1N•m)
Una parte dell'elenco di collezioni
| CAPPUCCIO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | SU | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODI | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRASPORTO MMBTA42LT1G | SU | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRASPORTO NDD04N60ZT4G | SU | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| CAPPUCCIO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| CAPPUCCIO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC