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MOSFET di potere di N-Manica degli apparecchi elettronici delle componenti di elettronica del transistor di IRFP150N

MOSFET di potere di N-Manica degli apparecchi elettronici delle componenti di elettronica del transistor di IRFP150N
MOSFET di potere di N-Manica degli apparecchi elettronici delle componenti di elettronica del transistor di IRFP150N
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperature Range:
–55 to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
±20V
Current:
31A
Package:
TO-247
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

Apparecchi elettronici delle componenti di elettronica del transistor di IRFP150N

MOSFET di potere di N-Manica

Caratteristiche

• Su resistenza ultrabassa - RDS (SOPRA) = 0.030Ω, VGS = 10V

• Modelli di simulazione

- Modelli elettrici a temperatura compensata di SABER© e di PSPICE™

- Spezia e modelli termici di impedenza di SABER©

- www.fairchildsemi.com

• Picco di corrente contro la curva di larghezza di impulso

• Curva di valutazione di UIS

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
Ricerca 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
Ricerca 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL MICROCHIP 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A TAGLIENTE 2016.08.10/H33 DIP-4
TRASPORTO 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G MICROCHIP CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS St 135 SOP-24
CAPPUCCIO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
CAPPUCCIO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR PENTOLA Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN MICROCHIP 1636M6G SOP-8
CAPPUCCIO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RICERCA RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RICERCA RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
CAPPUCCIO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
CAPPUCCIO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
Ricerca 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
CASO 0805RC0805JR-073K3L di RICERCA 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG St 628 TO-3P
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Valutazioni massime assolute TC = 25oC, salvo specificazione contraria

Vuoti a tensione di fonte (nota 1). VDSS 100 V

Vuoti a tensione del portone (RGS = 20kΩ) (nota 1). VDGR 100 V

Portone a tensione di fonte. VGS ±20 V

Vuoti continuo corrente (TC= 25oC, VGS = 10V) (figura 2). Identificazione

Continuo (TC= 100oC, VGS = 10V) (figura 2). Identificazione

Corrente pulsata dello scolo. .IDM 44 31

Figura 4 una valutazione della valanga pulsata A. .UIS

Figure 6, 14, dissipazione di potere 15. Palladio

Riduca le imposte su sopra 25oC. 155 1,03 W W/oC

Temperatura di stoccaggio e di funzionamento. TJ, TSTG -55 a 175 Oc

Temperatura massima per i cavi di saldatura a 0.063in (1.6mm) dall'argomento per 10s. …. .TL

Il corpo del pacchetto per 10s, vede Techbrief TB334. Tpkg 300 260 Oc Oc

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