Transistor di potenza del silicio NPN di ISC di 2SC4546 3 Pin Transistor
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 10MHz 30 W Through Hole TO-220F
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Collector-Base Voltage:
600 V
Collector-Emitter Voltage:
400 V
Emitter-Base Voltage:
7 V
Collector Current-Continuous:
7 A
Junction Temperature:
150 ℃
Storage Temperature:
-55~150 ℃
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| RURG8060 | 6054 | FSC | 13+ | TO-247 |
| S1133 | 4195 | HAMAMATSU | 13+ | DIP-2 |
| S14K320 | 92000 | EPSON | 15+ | IMMERSIONE |
| S1D13506F00A200 | 2146 | EPSON | 11+ | QFP |
| S1G-E3/61T | 18000 | VISHAY | 16+ | DO-214 |
| S21152BB | 1768 | INTEL | 10+ | QFP |
| S25FL128P0XMFI001 | 12260 | SPANSION | 16+ | SOP-16 |
| S25FL216KOPMFI011 | 68000 | SPANSION | 14+ | SOP-8 |
| S25FL512SAGMFI013 | 3723 | SPANSION | 15+ | SOP-16 |
| S29AL016D70TFI010 | 5204 | SPANSION | 08+ | TSSOP-48 |
| S29JL064H90TFI00 | 5068 | SPANSION | 06+ | TSSOP-48 |
| S2B-PH-K-S | 167000 | JST | 14+ | SMD |
| S2J-E3/52T | 75000 | VISHAY | 15+ | DO-214AA |
| S2S4BYOF | 13830 | TAGLIENTE | 16+ | SOP-4 |
| S34ML08G101BHI000 | 2100 | SPANSION | 16+ | BGA63 |
| S3A-E3/57T | 8500 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
| S3B-13-F | 67000 | DIODI | 16+ | DO-214AB |
| S3C6410X66-YB40 | 2983 | SAMSUNG | 14+ | BGA |
| S3F9454BZZ-DK94 | 5833 | SAMSUNG | 09+ | IMMERSIONE |
| S4X8ES | 69000 | LITTELFUS | 10+ | TO-92 |
| S558-5500-25-F | 5804 | BELFUSE | 15+ | SOP-16 |
| S5B-PH-K-S (SE) (SN) | 94000 | JST | 16+ | Na |
| S5M-E3/57T | 77000 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
| S6040R | 8070 | LITTELFUS | 14+ | TO-220 |
| S6B-XH-SM4-TB (SE) (SN) | 7573 | JST | 16+ | SMD |
| S7B-PH-SM4-TB (SE) (SN) | 23131 | JST | 13+ | SMD |
| S8025L | 8041 | TECCOR | 07+ | TO-220 |
| S8065K | 5681 | TECCOR | 16+ | TO-3P |
| SAB80C517A-N18-T3 | 2443 | 14+ | PLCC84 | |
| SAFEA2G35MB0F00R15 | 6517 | MURATA | 16+ | SMD |
transistor di potenza 2SC4546 del silicio NPN di ISC
DESCRIZIONE
·Tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore: CEO di V (BR) = 400V (min)
·Alta velocità di commutazione
APPLICAZIONI
·Progettato per il regolatore di commutazione, accendendo invertitore e le applicazioni di uso generale.
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (Ta=25℃)
| SIMBOLO | PARAMETRO | VALORE | UNITÀ |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 600 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 400 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 7 | V |
| IC | Collettore Corrente-continuo | 7 | |
| ICM | Corrente-picco del collettore | 14 | |
| IB | Corrente-continuo basso | 2 | |
| PC | Dissipazione di potere del collettore @TC=25℃ | 30 | W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~150 | ℃ |
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