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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Elettronica di IC del chip di IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Elettronica di IC del chip di IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Elettronica di IC del chip di IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
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Elettronica di IC del chip di IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperature Range:
–55°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
12A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

Elettronica di IC del chip di IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

CARATTERISTICHE


• Valutazione dinamica di dV/dt
• Valanga ripetitiva valutata
• Commutazione veloce
• Facilità di parallelizzazione
• Requisiti semplici dell'azionamento
• Disponibile senza del cavo (Pb)

Descrizioni
I MOSFETs di potere della terza generazione da Vishay forniscono al progettista la migliore combinazione di commutazione veloce, di progettazione resa resistente del dispositivo, di su resistenza bassa e di redditività.

Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 W. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1)

Gamma di temperature (TUM). -55oC a 125oC
Gamma di tensione di rifornimento, VCC tipi di HC. .2V ai tipi di 6V HCT. .4.5V a 5.5V
Input di CC o tensione in uscita, VI, Vo. 0V a VCC
Aumento e tempo di caduta introdotti 2V. 1000ns (massimo)
4.5V. 500ns (massimo)
6V. 400ns (massimo)
Pacchetto. .67oC/W
Pacchetto di m. (SOIC). .73oC/W
Pacchetto di NS (CONTENTINO). .64oC/W
Pacchetto di PW (TSSOP). 108oC/W
Temperatura di giunzione massima. 150oC
Gamma di temperature massima di stoccaggio. - 65oC a 150oC
Temperatura massima del cavo (10s di saldatura). 300oC


TRASPORTO BC847BLT1 18000 SU La CINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO La CINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO La CINA
DIODO DF06S 3000 SETTEMBRE La CINA
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK Il GIAPPONE
DIODO US1A-13-F 50000 DIODI La MALESIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK Il GIAPPONE
Ricerca 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO La CINA
Ricerca 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO La CINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY La MALESIA
Ricerca 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO La CINA
MUNIZIONI DI DIODO UF4007 500000 MIC La CINA
TRANS. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWAN
Ricerca 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L		 500000 YAGEO La CINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWAN
TRASPORTO MMBT2907A-7-F 30000 DIODI La MALESIA
TRASPORTO STGW20NC60VD 1000 St La MALESIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI La TAILANDIA
C.I MC33298DW 1000 MOT La MALESIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL La MALESIA
C.I P8255A5 4500 INTEL Il GIAPPONE
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI Il GIAPPONE
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS FILIPPINE
TRANS. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWAN
TRIAC BT151-500R 500000 Il MAROCCO
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWAN
TRIAC TIC116M 10000 TI La TAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY La MALESIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY La MALESIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWAN
C.I CD40106BE 250 TI La TAILANDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 TAGLIENTE Il GIAPPONE
TRASPORTO NDT452AP 5200 FSC La MALESIA
CI LP2951-50DR 1200 TI La TAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 SU La MALESIA
DIODO MBR20200CTG 22000 SU La MALESIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWAN
C.I TPIC6595N 10000 TI La TAILANDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA La MALESIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC La CINA
C.I CD4060BM 500 TI La TAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC La MALESIA
DIODO W08 500 SETTEMBRE La CINA
C.I SN74HC373N 1000 TI FILIPPINE
FOTOCELLULA 2SS52M 500 Honeywell Il GIAPPONE
C.I SN74HC02N 1000 TI La TAILANDIA
C.I CD4585BE 250 TI La TAILANDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MICRON La MALESIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 SU La MALESIA


Circuito di punta della prova di recupero dV/dt del diodo

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