Circuito integrato Chip Program Memory di IC del transistor di TK10A60D
npn smd transistor
,silicon power transistors
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Accoppiatori ottici per tutti gli usi del fototransistor 6-Pin
Caratteristiche
• Su resistenza bassa di scolo-fonte: RDS (SOPRA) = 0,62 Ω (tipo.)
• Alta entrata di trasferimento di andata: |Yfs| = 6,0 S (tipo.)
• Corrente bassa di perdita: IDSS = μA 10 (VDS = 600 V)
• Modo di potenziamento: Vth = 2,0 - 4,0 V (VDS = 10 V, identificazioni = 1 mA)
Applicazioni
■Regolatori dell'alimentazione elettrica
■Input di logica di Digital
■Input del microprocessore
■Sistemi del sensore degli apparecchi
■Comandi industriali
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1) |
tensione VDSS 600 V di Scolo-fonte
tensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20) VDGR 600 V
tensione VGSS ±30 V di Portone-fonte
CC (impulso di corrente dello scolo di identificazione 10 della nota 1) (t = 1 spettrografia di massa) (nota 1) IDP 40 A
Vuoti la dissipazione di potere (TC = 25°C) palladio 45 W
Singola energia della valanga di impulso (nota 2) EAS 363 mJ
Valanga IAR corrente 10 A
Energia ripetitiva della valanga (ORECCHIO 4,5 mJ della nota 3)
°C di Tch 150 di temperatura di Manica
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg -55 - °C 150
|
PARTE DELLE AZIONE
ERA-5SM+ | 78L08 |
IRG4BC20UD | BUH515D |
24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
AN7812 | MDM9615M |
OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
25LC1024-I/P | WS9221B |
STK404-130S | LMR62014XMF |
LM431BCM3X | LM2731XMFX |
TLV61225DCKR | LM2731XMFX |
AM28F010A-90JC | MAX14588ETE+ |
BTS141 | AT24C02D-SSHM-T |
BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
1034SE001 | CX240DS |
30023* | DLW21SN900SQ2L |
30520* | NLV32T-100J-PF |
30536* | AOZ1282CI |
30639* | AOZ1282CI |
NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
L9147P | MBRX160-TP |
APIC-S06 | PS21765 |
FM28V020-SGTR | KIA78R05PI-CU/P |
M24256-BWDW6TP | LB3500 |
MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
MCP6004T-I/ST | REF02AZ/883 |
BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
LM317LIPK | REF01AZ/883 |
HA16107P | LPC2294HBD144 |
UPC812G | AD620SQ/883B |
DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
M5195BFP | AQW254 |
SN751178NS | TP4056 |
AD8056ARZ | LNK302DG |
SN74LV245APWR | LNK302DG |
SN74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
TC4049BF | FM24CL16-G |
D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
DS90CF363BMT | NJM2119M |
SN74AC74DR | TMS320VC5402PGE100 |
SKN240/12 | MC1350DR2 |
MPU-6050 | LIS331DLHTR |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
