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STN1HNK60 N-Manica 600v - 8ω - transistor del Mosfet di 1a Dpak/To-92/Ipak/Sot-223 Supermesh

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VDS:
600V
VGS:
± 30V
dv/dt:
3 V/ns
Tstg/Tj:
-55 to 150°C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

STN1HNK60
N-MANICA 600V - 8Ω - MOSFET di 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH

Caratteristiche

Ω TIPICO 8 di RDS (sopra) =
■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt
■IL ESD HA MIGLIORATO LA CAPACITÀ
■LA VALANGA 100% HA PROVATO

■NUOVO PUNTO DI RIFERIMENTO AD ALTA TENSIONE
■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO

APPLICAZIONI

CARICABATTERIE DI POTERE BASSO
■ALIMENTAZIONI ELETTRICHE DI POTERE BASSO DI MODO DI SWITH (SMPS)
■POTERE BASSO, ZAVORRA, CFL (LAMPADE FLUORESCENTI COMPATTE)

DESCRIZIONE

La serie di SuperMESH™ è ottenuta con un estremo
ottimizzazione al del PowerM basato a striscia affermato della st
- Disposizione di ESH™. Oltre a spingere signi di su resistenza
- ficantly giù, la cura speciale è presa per assicurare molto un buon
capacità di dv/dt per le applicazioni più esigenti. Tale
la serie complementa la gamma completa della st di MOSFETs ad alta tensione
compreso i prodotti rivoluzionari di MDmesh™.


Valutazioni massime assolute

Simbolo Parametro Valore Unità
DPAK/IPAK TO-92 SOT-223
VDS tensione di Scolo-fonte (VGS = 0) 600 V
VDGR tensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tensione di fonte di portone ± 30 V
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 25°C 1,0 0,4 0,4
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 100°C 0,63 0,25 0,25
IDM (•) Corrente dello scolo (pulsata) 4 1,6 1,6
PTOT Dissipazione totale a TC = 25°C 30 3 3,3 W
Ridurre le imposte su fattore 0,24 0,025 0,025 W/°C
dv/dt (1) Pendio di punta di tensione di recupero del diodo 3 V/ns
Tj
Tstg
Temperatura di giunzione di funzionamento
Temperatura di stoccaggio
-55 - 150 °C

(•) Larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro
(1) ISD ≤1.0A, di/dt ≤100A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di VDD di Tj.


ELENCO DI COLLEZIONI

M28W160CT70N6E 3880 St 16+ TSOP
74LCX125MTCX 7500 FAIRCHILD 16+ TSOP
MC33298P 3206 SU 14+ IMMERSIONE
MAX1488ECPD 5650 MASSIMO 16+ IMMERSIONE
MMBT5551LT1G 20000 SU 16+ SOT-23
MAX1232ESA+ 30000 MASSIMO 16+ CONTENTINO
LA7838 5192 SANYO 15+ SORSATA
MC68000P8 3610 MOT 15+ IMMERSIONE
L6283-1.3 2938 St 14+ QFP
MRF182 6386 MOTOROLA 14+ SMD
MAX17435ETG 6850 MASSIMO 14+ QFN
FOD817C 2200 FSC 16+ SOP-4
AME8500AEETAF29Z 1600 AME 13+ SOT-23
IRF3710 1500 IR 14+ TO-220
MIC2075-1YM 6382 MICREL 16+ CONTENTINO
MRF160 637 MOT 15+ MODELLO
BLW33 156 PHI 15+ SOT122A
BLW32 156 PHI 14+ SOT122A
MIC39102YM 6490 MICREL 16+ SOP-8
AT28C64B-15SI 2300 ATMEL 16+ SOP28
MAX811MEUS-T 8041 MASSIMO 16+ BEONE
74LVC244AD 7500 16+ CONTENTINO
DS1722S+T 5760 MASSIMO 14+ SOP-8
BT136-600E 2100 15+ TO-220
PM75CFE060 280 MITSUBISH 13+ MOUDLE
BT137S-800G 10000 15+ TO220
MR4020 6260 SHINDENGE 14+ TO220-7
IRFL9110TR 1500 IR 16+ SOT-223
LM317LIPK 9368 TI 15+ SOT-89
MJE13005 38000 FSC 16+ TO-220
FCX605TA 1950 ZETEX 15+ SOT-89
2SC2878A 3000 TOSHIBA 13+ TO-92
2SA1220A 3000 NEC 13+ TO-126
MIC811LUY 10000 MICREL 16+ SOT-143
BD9778F-E2 5500 ROHM 16+ SOP-8
PIC18F25K20-I/ML 4553 MICROCHIP 14+ QFN
74LVXC3245MTCX 7500 FAIRCHILD 15+ TSSOP
2SC3964 3000 TOSHIBA 16+ TO-126
2SD1408Y 3000 TOSHIBA 16+ TO-220F
10TPB47M 9000 SANYO 16+ SMD
F931A106MAA 1950 NICHILON 14+ SMD
AM26LS32ACNSR 1600 TI 13+ SOP-16
10TPC68M 9000 SANYO 15+ SMD
10TPB33M 9000 SANYO 15+ SMD
A6251M 5800 SANKEN 11+ DIP-8
A6251M 2230 SANKEN 16+ DIP-8
H1061 3460 COLPISCA 14+ TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I 100 XILINX 15+ BGA
FSDM0265RN 3460 FAIRCHILD 16+ DIP-8
MOC3083 5588 FSC 16+ IMMERSIONE
GP1A52HRJ00F 3460 TAGLIENTE 15+ IMMERSIONE
PIC24FJ128GB106-I/PT 4173 MICROCHIP 15+ TQFP
C393C 1380 NEC 16+ DIP-8
DS1220AD-100IND+ 500 DALLAS 15+ DIP-24
ME15N10-G 5956 MATSU 16+ TO-252
D3SB60 2200 SHINDENGE 14+ TO-220

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