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Diodo d'emissione infrarosso ad alta velocità del diodo di VSLB3940 SMD LED, RoHS compiacente, 940 nanometro, GaAlAs, DDH

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.15V 100mA 32mW/sr @ 100mA 44° Radial
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VR:
5 V
IF:
100 mA
IFM:
1.0 A
IFSM:
1.5 A
PV:
160 mW
Punto culminante:

led diode smd

,

led diode strip

Introduzione



Diodo d'emissione infrarosso ad alta velocità, RoHS compiacente, 940 nanometro, GaAlAs, DDH


CARATTERISTICHE
• Tipo del pacchetto: al piombo
• Forma del pacchetto: T-1, chiaro epossidico
• Dimensioni: Ø 3 millimetri
• Lunghezza d'onda di picco: λp = 940 nanometro
• Alta velocità • Alto potere radiante
• Alta intensità radiante
• Angolo di mezza intensità: ϕ = ± 22°
• Tensione di andata bassa
• Adatto ad alta operazione in corso di impulso
• Buon spettrale abbinando al si i rivelatori fotoelettrici
• Componente senza del cavo (Pb)
• Componente senza del cavo (Pb) conformemente a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

PARAMETROCONDIZIONE DI PROVA SIMBOLOVALOREUNITÀ
Tensione inversa VR5V
Corrente di andata SE100 mA
Picco in avanti correntetp/T = 0,1, tp = 100 µsIFM1,0
Sollevi in avanti correntetp = 100 µsIFSM 1,5
Dissipazione di potere PV160Mw
Temperatura di giunzione Tj100°C


Diodo d'emissione infrarosso ad alta velocità, RoHS compiacente, 940 nanometro, GaAlAs, DDH

ELENCO DI COLLEZIONI

PM200CBS060200MITSUBISH04+MOUDLE
LT1167CS88718LINEARE16+SOP-8
PEB4266VV1.25900 15+QFN
MC55I356CINTERION15+GPRS
LNK302PN4654POTERE15+DIP-7
PEB20570FV3.15700 15+QFP
LM2594M-123000NSC15+SOP-8
LTC5532ES66155LT16+BEONE
OP77AZ/8836340ANNUNCIO16+CDIP
M27W401-80N63906St16+TSOP
MAX547ACQH1520MASSIMO15+PLCC
LMV931MFX6380NSC15+SOT-23
LMC6482IM4926NSC14+SOP-8
MAX14803CCM5500MASSIMO15+QFP
PIC16F77-I/PT4978MICROCHIP16+TQFP
LM2937ES-3.36846NSC14+TO-263

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