HCNR201 circuito integrato Chip High-Linearity Analog Optocouplers
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Descrizione
L'accoppiatore ottico analogico di alto-linearità HCNR200/201 consiste di un AlGaAs ad alto rendimento LED che illumina due fotodiodi molto attentamente abbinati. Il fotodiodo dell'input può essere utilizzato per controllare e quindi per stabilizzarsi, l'uscita leggera del LED. Di conseguenza, la non linearità e le caratteristiche della deriva del LED possono virtualmente eliminarsi. Il fotodiodo dell'uscita produce un affitto del photocur che è collegato linearmente con l'uscita leggera del LED. La corrispondenza vicina dei fotodiodi e la progettazione avanzata del pacchetto assicurano le alte linearità e le caratteristiche stabili di guadagno di opto accoppiatore.
Il HCNR200/201 può essere usato per isolare i segnali analogici in un'ampia varietà di applicazioni che richiedono la buona stabilità, le linearità, la larghezza di banda ed il basso costo. Il HCNR200/201 è molto Florida exible e, da progettazione del priate di appro del circuito dell'applicazione, è capace di funzionamento in molti modi differenti, comprende il ing: unipolare/bipolare, ac/dc ed invertire non inversione. Il HCNR200/201 è una soluzione eccellente per molti problemi analogici di tion di isola.
Caratteristiche
non linearità bassa del : 0,01%
guadagno HCNR200 di trasferimento del K3 (IPD2/IPD1): ±15% HCNR201: ±5%
coeffi basso di temperatura di guadagno del cient: -65 ppm/°C
ampia larghezza di banda del – CC a >1 megahertz
approvazione mondiale di sicurezza del
– UL 1577 riconosciuta (5 valutazione minima di chilovolt rms/1)
– CSA ha approvato
– l'en 60747-5-2 di IEC/EN/DIN ha approvato VIORM = un picco di 1414 V (opzione #050)
opzione di superficie del supporto del disponibile (opzione #300)
pacchetto della IMMERSIONE del 8-Pin - 0,400" gioco
il concede a Florida la progettazione di circuito exible
Disegni di profilo del pacchetto
Valutazioni massime assolute
Temperatura di stoccaggio .............................................................................................. - 55°C alla temperatura di funzionamento di +125°C (TUM) ................................................................................. -55°C alla temperatura Profi le del ow della temperatura di giunzione di +100°C (TJ) ......................................................................................................... 125°C Refl .............................................. vedono la temperatura ............................................................................................ 260°C della lega di piombo della sezione dei disegni di profilo del pacchetto per 10s
(fino all'aereo di sedili)
Corrente di ingresso media - SE ........................................................................................................ corrente di ingresso del picco di 25 mA - SE ............................................................................................................... 40 mA
(50 larghezze di impulso massime di NS)
Tensione in ingresso inversa - VR ............................................................................................................ 2,5 V
(IR = 100 μA, Pin 1-2)
Dissipazione di alimentazione in ingresso entrata .................................................................................... 60 TUM di Mw @ = 85°C
(Riduca le imposte su a 2,2 mW/°C per le temperature di funzionamento superiore a 85°C)
Tensione inversa del fotodiodo dell'uscita ........................................................................................ 30 V
(Pin 6-5) tensione introdotta inversa del fotodiodo ............................................ 30 V
(Pin 3-4)

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
