Circuito integrato Chip Original Integrated Circuit di CY7C433-20JXC

Offerta di riserva (vendita calda)

CY7C419/21/25/29/33

256/512/1K/2K/4K x 9 FIFO asincrono

Caratteristiche

• Primo asincrono/in fuori memorie di transito prime-fuori prime (FIFO)

• 256 x 9 (CY7C419)

• 512 x 9 (CY7C421)

• 1K x 9 (CY7C425)

• 2K x 9 (CY7C429)

• 4K x 9 (CY7C433)

• Cellula a doppio accesso di RAM

• Indipendente lettura /scrittura ad alta velocità 50.0-MHz da profondità/larghezza

• Potere di funzionamento basso: ICC = 35 mA

• Bandiere vuote e piene (bandiera piena a metà in autonomo)

• TTL compatibile

• Ritrasmetta in autonomo

• Estensibile di larghezza

• IMMERSIONE di PLCC, di 7x7 TQFP, del SOJ, da 300 mil e da 600 mil

• Pacchetti senza Pb disponibili

• Pin compatibile e dal punto di vista funzionale equivalente a IDT7200, a IDT7201, a IDT7202, a IDT7203, a IDT7204, a AM7200, a AM7201, a AM7202, a AM7203 e a AM7204

Descrizione funzionale

I CY7C419, i CY7C420/1, i CY7C424/5, i CY7C428/9 e i CY7C432/3 sono primi in/fuori memorie prime-fuori prime (FIFO) hanno offerto in 600 mil ampi e 300 pacchetti di mil ampi. Sono, rispettivamente, 256, 512, 1.024, 2.048 e 4.096 parole da 9 bit largamente. Ogni memoria di FIFO è tale organizzato che i dati sono letti nello stesso ordine sequenziale che è stato scritto. Le bandiere piene e vuote sono fornite per impedire invaso e scorrere. Tre perni supplementari inoltre sono forniti per facilitare l'espansione illimitata nella larghezza, nella profondità, o in entrambe. La tecnica di espansione di profondità dirige i segnali di controllo da un dispositivo ad un altro parallelamente, così eliminando l'aggiunta di serie dei ritardi di propagazione, di modo che la capacità di lavorazione non è ridotta. I dati sono diretti in modo analogo.

Colta e scrivere le operazioni può essere asincrona; ciascuno può accadere ad un tasso di 50,0 megahertz. Scriva l'operazione accade quando scriva (w) il segnale è BASSO. Colto accade quando (r) colto passa a BASSO. I nove emissioni dei dati andare allo stato ad alta impedenza quando la R è ALTA.

Una bandiera piena a metà dell'uscita (HF) è a condizione che è valido nelle configurazioni di larghezza ed autonome di espansione. Nella configurazione di espansione di profondità, questo perno fornisce informazioni di espansione fuori (XO) che sono usate per dire al FIFO seguente che sarà attivato.

Nelle configurazioni di larghezza ed autonome di espansione, un MINIMO sul ritrasmette l'input (RT) induce il FIFOs a ritrasmettere i dati. Read permettere a (r) e scrivere per permettere a (w) deve sia essere ALTA durante ritrasmette che poi la R è usata per accedere ai dati.

I CY7C419, i CY7C420, i CY7C421, i CY7C424, i CY7C425, i CY7C428, i CY7C429, i CY7C432 e i CY7C433 sono fabbricati facendo uso di una tecnologia CMOS avanzata di P-well di 0,65 micron. La protezione introdotta di ESD è maggior di 2000V ed il fermo-su è impedito dagli anelli attenti di guardia e della disposizione.

Valutazione massima ^[1]

(Sopra che la vita utile può essere alterata. Per le linee guida dell'utente, non provato.)

Temperatura di stoccaggio ................................. – 65°C a +150°C

Temperatura ambiente con

Potere ............................................. – 55°C applicato a +125°C

Tensione di rifornimento per frantumare potenziale ............... – 0.5V a +7.0V

Tensione di CC applicata alle uscite

nell'alto stato ................................................ – 0.5V di Z a +7.0V

Tensione in ingresso ............................................ – 0.5V di CC a +7.0V

Dissipazione di potere .......................................................... 1.0W

Corrente d'uscita, nelle uscite (IN BASSO) ............................ 20 mA

Tensione di scarica statica ............................................ >2000V

(per MIL-STD-883, metodo 3015)

Corrente del fermo-Su ..................................................... >200 mA

Nota: 1. singola alimentazione elettrica: La tensione su alcun input o sul perno dell'ingresso/uscita non può superare il perno di potere durante il ciclo iniziale.

Raggio d'azione