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IRF640NSTRLPBF ha avanzato la tecnologia che della trasformazione il CI comune scheggia i circuiti digitali di CI

IRF640NSTRLPBF ha avanzato la tecnologia che della trasformazione il CI comune scheggia i circuiti digitali di CI
IRF640NSTRLPBF ha avanzato la tecnologia che della trasformazione il CI comune scheggia i circuiti digitali di CI
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto D2PAK della superficie 150W (TC) di N-Manica 200 V 18A (TC)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V:
13 A
Corrente pulsata dello scolo:
? 72 A
Dissipazione di potere:
150 W
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introduzione

Elenco di collezioni

MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 SU 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ BEONE
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MODULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MODULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MODULO
MAX209EWG 7850 MASSIMO 14+ CONTENTINO
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 SU 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MASSIMO 16+ QFN
MAC97A6 25000 SU 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRUS 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 GRATA 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 SU 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MODULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MODULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MODULO
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANNUNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MODULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MODULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE

MOSFET di potere di HEXFET®

? ►Processo avanzato

►Tecnologia? Valutazione dinamica di dv/dt?

►temperatura di funzionamento 175°C?

►Commutazione veloce?

►Completamente valanga valutata?

►Facilità di parallelizzazione?

►Requisiti semplici dell'azionamento

►? Senza piombo

Descrizione

I MOSFETs di potere della quinta generazione HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.

Il D2Pak è un pacchetto di superficie di potere del supporto capace di accomodazione degli estrusi fino a HEX-4. Fornisce la capacità di più alto potere e il onresistance possibile più basso in tutto il pacchetto di superficie attuale del supporto. Il D2Pak è adatto ad applicazioni a corrente forte a causa della sua resistenza interna bassa del collegamento e può dissipare fino a 2.0W in un'applicazione di superficie tipica del supporto.

La versione del attraverso-foro (IRF640NL) è disponibile per l'applicazione lowprofile

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