IL TRANSISTOR del SILICIO rf di 2SC5508-T2B NPN PER A BASSO RUMORE, AMPLIFICAZIONE di ALTO-GUADAGNO ha condotto il circuito
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TRANSISTOR DEL SILICIO RF DI 2SC5508-T2B NPN PER A BASSO RUMORE, AMPLIFICAZIONE DI ALTO-GUADAGNO
CARATTERISTICHE
• Ideale per a basso rumore, applicazioni di amplificazione di alto-guadagno
• N-F = TIPO di dB 1,1., GA = TIPO di dB 16. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 gigahertz
• Guadagno disponibile massimo di potere: MAG = TIPO di dB 19. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 gigahertz
• fT = 25 gigahertz di tecnologia adottata
• pacchetto eccellente sottile tipo del minimold del perno del Piano-cavo 4 (M04)
ELENCO DI COLLEZIONI
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | ZIP |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MODULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MODULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MODULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MODULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | SU | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | SU | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | IMMERSIONE |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEARE | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
P0926NL | 8560 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MODULO |
CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | CONTENTINO |
NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | CONTENTINO |
MP8707EN-LF-Z | 5854 | MP | 16+ | CONTENTINO |
MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | CONTENTINO |
PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MODULO |
PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MODULO |
BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MODULO |
LV8401V-TLM-E | 5128 | SU | 16+ | SSOP |
2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MODULO |
QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MODULO |
XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
M27C512-70XF1 | 4087 | St | 16+ | IMMERSIONE |
QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MODULO |
PC357N1TJ00F | 10000 | TAGLIENTE | 16+ | CONTENTINO |
2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MODULO |
2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MODULO |
LNK364PN | 4211 | POTERE | 15+ | DIP-7 |
RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MODULO |
MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
