MOSFET elettronico di potere del MOSFET HEXFET di Manica di IRF7311TRPBF IC Chips Dual N
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
IRF7311
MOSFET di potere di HEXFET®
- Tecnologia della generazione V
- Su resistenza ultrabassa
- MOSFET doppio di N-Manica
- Supporto di superficie
- Completamente valanga valutata
Descrizione
La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il SO-8 è stato modificato attraverso un leadframe su misura per le caratteristiche migliorate e la capacità termiche del multiplo-dado che lo rende ideale in varie applicazioni di potere. Con questi miglioramenti, i dispositivi multipli possono essere utilizzati in un'applicazione con lo spazio drammaticamente riduttore del bordo. Il pacchetto è progettato per le tecniche di saldatura infrarosse e o dell'onda di fase di vapore.
Valutazioni massime assolute (TUM = 25°C salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Massimo | Unità | ||
| Tensione di Scolo-fonte | VDS | 20 | V | |
| Tensione di Portone-fonte | VGS | ±12 | V | |
| corrente 1 dello scolo continuo | TUM = 25°C | Identificazione | 6,6 | |
| TUM = 70°C | 5,3 | |||
| Corrente pulsata dello scolo | IDM | 26 | ||
| Corrente di fonte continua (conduzione del diodo) | È | 2,5 | ||
| massimo 1 di dissipazione di potere | TUM = 25°C | Palladio | 2,0 | W |
| TUM = 70°C | 1,3 | |||
| Singolo 2 di energia della valanga di impulso | EAS | 100 | mJ | |
| Corrente della valanga | IAR | 4,1 | ||
| Energia ripetitiva della valanga | ORECCHIO | 0,20 | mJ | |
| di punta 3 di recupero dv/dt del diodo | dv/dt | 5,0 | V/ NS | |
| Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 + a 150 | °C | |
Note:
1. La superficie ha montato su 1 nel bordo quadrato del Cu
2. Iniziando TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.
≤ 4.1A, ≤ 92A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ 150°C del ISD del 3. di di/dt di VDD di TJ
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
| IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
| IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
| IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
| IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
| IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
| IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF840PBF | 14327 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
| IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
| IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF9620PBF | 3435 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
| IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
| IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
| IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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Livello della metropolitana 3 MSL di Pin PLCC del driver DMOS 5V 44 del motore passo a passo di potere di A3977SEDTR |
Bipolar Motor Driver DMOS Logic 44-PLCC (16.59x16.59)
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