TLP105 (F) elettronico del di GaAâ del FOTOISOLATORE dei chip di IC come IRED & PHOTO-IC
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
FOTOISOLATORE GaAℓAs IRED & PHOTO-IC di TOSHIBA
TLP105
Autisti di autobus isolati
Linea ad alta velocità ricevitori
Interfacce del sistema a microprocessore
Toshiba TLP105 consiste di un diodo luminescente di GaAℓAs otticamente accoppiato ad un alto-guadagno, rivelatore fotoelettrico ad alta velocità.
Il TLP105 è alloggiato 6 in un perno MFSOP.
Con un'uscita del totem, il TLP105 è capace sia di affondamento che della corrente di sourcing.
Il TLP105 ha uno schermo interno di Faraday, che fornisce un'immunità transitoria garantita del comune-modo di ±10 kV/μs.
Il TLP105 ha un'uscita noninverting. Una versione dell'invertire-uscita, il TLP108, è inoltre disponibile.
• Tipo di logica dell'amplificatore (uscita del totem)
• Prestazione garantita sopra la temperatura: -40 a 100°C
• Tensione di alimentazione elettrica: 4,5 - 20 V
• Corrente introdotta della soglia: IFLH =1.6 mA (massimo)
• Tempo di commutazione (tpLH/tpHL): 250 NS (massimi)
• Immunità transitoria di modo comune: ±10 kV/μs
• Tensione di isolamento: 3750 Vrms
Valutazioni massime assolute (tum = 25°C)
CARATTERISTICA | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ | |
---|---|---|---|---|
LED | Corrente di andata | SE | 20 | mA |
Corrente di andata transitoria di punta (Note1) | IFPT | 1 | ||
Corrente di andata transitoria di punta (Note1) | VR | 5 | V | |
RIVELATORE | Corrente d'uscita 1 (≤ 25℃ di tum) | IO1 | 25/-15 | mA |
Corrente d'uscita 2 (≤ 100℃ di tum) | IO2 | 5/-5 | mA | |
Corrente d'uscita di punta (Note2) | IOP | 50/-50 | mA | |
Tensione in uscita | Vo | -0,5 - 20 | V | |
Tensione di rifornimento | VCC | -0,5 - 20 | V | |
Gamma di temperatura di funzionamento | Topr | -40 - 100 | °C | |
Gamma di temperatura di funzionamento | Tstg | -55 - 125 | °C | |
Temperatura della lega di piombo (10s) | Tsol | 260 | °C | |
Tensione di isolamento (CA, 1min., R.H.≤ 60%, Ta=25°C) (Note3) | BVs | 3750 | Vrms |
Nota: Facendo uso di continuamente nell'ambito degli oneri gravosi (per esempio l'applicazione di temperatura elevata/corrente/tensione ed il cambiamento significativo nella temperatura, ecc.) può indurre questo prodotto a diminuire significativamente nell'affidabilità anche se le condizioni di gestione (cioè temperatura di funzionamento/corrente/tensione, ecc.) sono all'interno delle valutazioni massime assolute.
Prego progettazione l'affidabilità appropriata sopra l'esame del manuale di affidabilità a semiconduttore di Toshiba («trattando»/«di precauzioni che riduce le imposte su concetto e metodi ") e diversi dati di affidabilità (cioè relazione sull'esperimento di affidabilità ed incidenza guasti, ecc stimati).
Nota 1: ≤ 1μs, 300pps di larghezza di impulso.
Nota 2: Μs del ≤ 5 di larghezza di impulso, ≤ 0,025 del duty cycle
Nota 3: Il dispositivo ha considerato i due apparecchiatura terminale: pin 1 e 3 messi insieme e pin 4, 5 e 6 messi insieme.
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
SMF3.3TCT | 70000 | SEMTECH | 06+ | SOT-353 |
SML-210MTT86 | 12000 | ROHM | 11+ | SOD-323 |
SML4739A-E3/61T | 32400 | VISHAY | 14+ | DO-214AC |
SML4742A-E3/61T | 180O0 | VISHAY | 14+ | DO-214AC |
SMMBTA06LT1G | 9000 | SU | 14+ | SOT-23 |
SMP1322-017IF | 23273 | SKYWORKS | 16+ | SOT-143 |
SMS24T1G | 8592 | SU | 14+ | SOT-163 |
SMS7630-001IF | 43000 | SKYWORKS | 06+ | SOT-23 |
SN608098 | 8510 | TI | 15+ | QFN |
SN65220DBVR | 10184 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN65EPT23DR | 7249 | TI | 10+ | SOP-8 |
SN65HVD12DR | 3609 | TI | 16+ | SOP-8 |
SN65HVD1781DR | 5924 | TI | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD3082EDR | 13917 | TI | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD485EDR | 5175 | TI | 13+ | SOP-8 |
SN65HVD72DR | 7408 | TI | 16+ | SOP-8 |
SN65HVD75DR | 8531 | TI | 15+ | SOP-8 |
SN65LBC176P | 10422 | TI | 16+ | DIP-8 |
SN65LBC184DR | 4784 | TI | 16+ | SOP-8 |
SN65LVDM176DGKR | 4223 | TI | 15+ | MSOP-8 |
SN7407N | 9215 | TI | 14+ | DIP-14 |
SN74ABT541BDBR | 34000 | TI | 00+ | SSOP-20 |
SN74ACT08PWR | 104000 | TI | 10+ | TSSOP-14 |
SN74AHC08DR | 79000 | TI | 16+ | SOP-14 |
SN74AHC123ADR | 12426 | TI | 16+ | SOP-16 |
SN74AHC125DR | 44000 | TI | 05+ | SOP-14 |
SN74AHC126PWR | 85000 | TI | 16+ | TSSOP-14 |
SN74AHC14DR | 35000 | TI | 04+ | SOP-14 |
SN74AHC573DWR | 15266 | TI | 16+ | SOP-20 |
SN74AHCT245DWR | 15976 | TI | 15+ | SOP-20 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
