CNY66B IC elettronico Chips Optocoupler con l'uscita del fototransistor
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY64/CNY65/CNY66
Accoppiatore ottico, uscita del fototransistor, tensione molto alta di isolamento
Caratteristiche
• Tensione stimata di isolamento (RMS comprende la CC) VIOWM = 1000 VRMS (un picco di 1450 V)
• Tensione di punta di ricorso Rated VIORM (ripetitivo) = 1000 VRMS
• Spessore attraverso il ≥ dell'isolamento 3 millimetri
• Resistenza corrente di dispersione secondo l'indice di inseguimento di comparativo del VDE 0303/IEC 60112: ≥ 200 di CTI
• Componente senza piombo
• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
Approvazioni dell'agenzia
• UL1577, codice H, &K di J, doppia protezione del sistema di no. E76222 dell'archivio
• En 60747-5-5 di BACCANO dell'en 60747-5-2 di BACCANO (VDE0884) in corso
• Il VDE ha collegato le caratteristiche:
• Tensione di impulso stimata (sovratensione transitoria) VIOTM = un picco da 8 chilovolt
• Tensione di prova di isolamento (tensione di prova parziale) di scarico Vpd = un picco da 2,8 chilovolt
Applicazioni
Circuiti per la separazione protettiva sicura contro scossa elettrica secondo la classe di sicurezza II (isolamento di rinforzo):
Per appl. classe I - IV al ≤ 300 V di tensione delle condutture
Per appl. classe I - IV al ≤ 600 V di tensione delle condutture
Per appl. classe I - III al ≤ 1000 V di tensione delle condutture secondo l'en 60747-5-2 (VDE0884) di BACCANO/en 60747 - 5-5 in corso, tabella 2 di BACCANO, adatta:
alimentazioni elettriche di Commutatore-modo, linea ricevitore, interfaccia periferica del computer, interfaccia del sistema a microprocessore.
Descrizione
I CNY64/CNY65/CNY66 consistono di un fototransistor otticamente accoppiato ad un diodo infraredemitting dell'arsenuro di gallio in un pacchetto di plastica di 4 perni.
Le singole componenti sono montate di fronte ad una un altro, fornendo una distanza fra input ed uscita per gli più alti requisiti di sicurezza > di 3 millimetri.
Valutazioni massime assolute
Tamb = °C 25, salvo specificazione contraria
Gli sforzi al di sopra delle valutazioni massime assolute possono danneggiare permanente il dispositivo. Il funzionamento funzionale del dispositivo non è implicato questi o ad alcune altre circostanze al di sopra di quelli arresi le sezioni operative di questo documento. L'esposizione alla valutazione massima assoluta per i periodi estesi del tempo può colpire avversamente l'affidabilità.
Parametro | Condizione di prova | Simbolo | Valore | Unità |
---|---|---|---|---|
Input | ||||
Tensione inversa | VR | 5 | V | |
Corrente di andata | SE | 75 | mA | |
Punta di corrente di andata | µs del ≤ 10 di tp | IFSM | 1,5 | |
Dissipazione di potere | Pdiss | 120 | Mw | |
Temperatura di giunzione | Tj | 100 | °C | |
Uscita | ||||
Tensione dell'emettitore del collettore | VCEO | 32 | V | |
Tensione di collettore dell'emettitore | VECO | 7 | V | |
Corrente di collettore | IC | 50 | mA | |
Picco di corrente del collettore | tp/T = 0,5, spettrografia di massa del ≤ 10 di tp | ICM | 100 | mA |
Dissipazione di potere | Pdiss | 130 | Mw | |
Temperatura di giunzione | Tj | 100 | °C | |
Accoppiatore | ||||
Tensione di prova di isolamento di CA (RMS) | t = 1 min | VISO | 8,2 | chilovolt |
Dissipazione di potere totale | Ptot | 250 | Mw | |
Gamma di temperatura ambiente | Tamb | - 55 + a 85 | °C | |
Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | - 55 + a 100 | °C | |
Temperatura di saldatura | 2 millimetri dal caso, ≤ 10 s di t | Tsld | 260 | °C |
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
IRFU220NPBF | 1820 | IR | 13+ | TO-251 |
MCP73871-2CCI/ML | 1820 | MICROCHIP | 15+ | QFN |
PC410L | 1821 | TAGLIENTE | 16+ | SOP5 |
IMMERSIONE AT24C01 | 1822 | ATMEL | 16+ | IMMERSIONE |
IRF530NPBF | 1822 | IR | 14+ | TO-220 |
TNY280PN | 1822 | POTERE | 14+ | DIP-7 |
74HC595 | 1841 | 14+ | CONTENTINO | |
3296W-1-503IF | 1850 | RUSCELLI | 16+ | IMMERSIONE |
LT1172CT | 1850 | LT | 16+ | TO220-5 |
A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | SOP-8 |
APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | SOP-8 |
HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
IRF1010EPBF | 1887 | IR | 14+ | TO-220 |
2N2907A | 1888 | St | 14+ | CAN3 |
MCP609-I/SL | 1888 | MICROCHIP | 14+ | SOP-14 |
ST72F321BJ9T6 | 1888 | St | 16+ | QFP |
W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
CD4017BE | 1889 | TI | 13+ | IMMERSIONE |
ADA4899-1YRDZ | 1895 | ANNUNCIO | 15+ | SOP8 |
PIC18F26K20-I/SO | 1900 | MICROCHIP | 16+ | SOP28 |
MC34064P-5G | 1941 | SU | 16+ | TO92 |
BQ27510DRZR | 1955 | TI | 14+ | SON-12 |
AK4420ET | 1975 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
AD7541AJN | 1990 | ANNUNCIO | 14+ | DIP-18 |
PIC18F97J60-I/PT | 1990 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
XC3S400-4TQG144C | 1990 | XILINX | 16+ | TQFP-144 |
FA5571N | 1991 | FUJI | 13+ | SOP8 |
MBR1045G | 1991 | SU | 15+ | TO-220 |
A2231 | 1997 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
