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Transistor del Mosfet di alto potere del MOSFET di PowerTrench di N-Manica di FDP085N10A

Transistor del Mosfet di alto potere del MOSFET di PowerTrench di N-Manica di FDP085N10A
Transistor del Mosfet di alto potere del MOSFET di PowerTrench di N-Manica di FDP085N10A
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 100 V 96A (TC) 188W (TC) attraverso il foro TO-220-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Vuoti a tensione di fonte:
100V
Singola energia pulsata della valanga:
269mJ
Recupero di punta dv/dt del diodo:
6.0V/ns
Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento:
-55 a +175°C
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduzione

Transistor del Mosfet di alto potere del MOSFET di PowerTrench di N-Manica di FDP085N10A

Caratteristiche

• RDS (sopra) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificazione = 96A

• Velocità di commutazione veloce

• Tassa bassa del portone

• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (sopra)

• Alto potere e capacità di trattamento corrente

• RoHS compiacente
Descrizione generale
Questo MOSFET di N-Manica è prodotto facendo uso del processo di avanzamento del PowerTrench a semiconduttore di Fairchild che è stato adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato ma mantenere la prestazione di commutazione superiore.
Applicazione
• CC ai convertitori di CC

• Rettifica sincrona per il gruppo di alimentazione di telecomunicazione

• Caricabatteria

• Azionamenti e gruppi di continuità del motore a corrente alternata

• UPS offline

Caratteristiche termiche

Simbolo Parametro Valutazioni Unità
RθJC Resistenza termica, giunzione da rivestire 0,8 °C/W
RθJA Resistenza termica, giunzione ad ambientale 62,5 °C/W


Caratteristiche di prestazione tipiche


Una parte dell'elenco di collezioni

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