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Amplificatori ottici TLC27L2C di Chip High Precision Dual Operational del circuito integrato

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Circuito 8-PDIP dell'amplificatore 2 di CMOS
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Spedizione:
DHL, Fedex, TNT, SME ecc
Linea principale:
CI, modulo, transistor, diodi, condensatore, resistenza ecc
Tensione di derivazione sistemata:
TLC27L7. µV 500 massimo a 25°C, VDD = 5 V
Vasta gamma delle tensioni di rifornimento sopra la gamma di temperature specificata:
0°C a 70°C. 3 V - 16 V – 40°C a 85°C. 4 V - 16 V – 55°C a 125°C. 4 V - 16 V
Alta impedenza introdotta:
tipo 1012 del Ω
progettato:
Progettare-nell'immunità del fermo-Su
Punto culminante:

small scale integrated circuits

,

integrated components

Introduzione

Amplificatori ottici di Chip High Precision Dual Operational del circuito integrato

Circuiti doppi di ESD-protezione degli amplificatori operazionali di precisione di TLC27L2C PLincmose

? Tensione di derivazione sistemata: TLC27L7. µV 500 massimo a 25°C, VDD = 5 V?

Deriva di derivazione introdotta di tensione. In genere 0,1 µV/Month, compreso i primi 30 giorni?

Vasta gamma delle tensioni di rifornimento sopra la gamma di temperature specificata: 0°C a 70°C. 3 V - 16 V – 40°C a 85°C. 4 V - 16 V – 55°C a 125°C. 4 V - 16 V?

Operazione della semplice alimentazione?

La gamma di tensione in ingresso del Comune-modo estende sotto la ferrovia negativa (C-suffisso, Io-suffisso scrive)?

ΜW ultrabasso in genere 95 di potere… a 25°C, VDD = 5 V?

La gamma di tensione in uscita include la ferrovia negativa?

Alta impedenza introdotta. tipo 1012 del Ω?

Circuiti di ESD-protezione? Opzione del pacchetto del Piccolo-profilo inoltre disponibile in nastro ed in bobina? Progettare-nell'immunità del fermo-Su

descrizione

Gli amplificatori operazionali doppi TLC27L2 e TLC27L7

combini una vasta gamma di input sfalsano i gradi di tensione con il minimo

deriva sfalsata di tensione, alta impedenza dell'input, estremamente - minimo

potere ed alto guadagno.

Questi dispositivi usano la tecnologia del  di LinCMOS del silicio-portone di Texas Instruments, che fornisce la stabilità di derivazione di tensione lontano che supera la stabilità disponibile i processi convenzionali del metallo-portone.

L'impedenza estremamente alta dell'input, le correnti di polarizzazione basse ed il basso consumo energetico rendono questi dispositivi redditizi ideali per alto guadagno, la bassa frequenza, le applicazioni di potere basso. Quattro gradi di derivazione di tensione sono disponibili (C-suffisso e tipi di Io-suffisso), variando dal TLC27L2 a basso costo (10 sistemi MV) al TLC27L7 di alta precisione (µV 500). Questi vantaggi, congiuntamente al buon rifiuto del comune-modo ed al rifiuto di tensione di rifornimento, operano a questi dispositivi una buona scelta per le nuove progettazioni avanzate come pure per il miglioramento delle progettazioni attuali.

In generale, molte caratteristiche connesse con la tecnologia bipolare sono disponibili in amplificatori operazionali del  di LinCMOS, senza le pene di potere della tecnologia bipolare. Le applicazioni generali quali il collegamento del trasduttore, i calcoli analogici, i blocchetti dell'amplificatore, i filtri attivi e la bufferizzazione del segnale sono progettate facilmente con il TLC27L2 e il TLC27L7. I dispositivi inoltre esibiscono l'operazione della semplice alimentazione di bassa tensione ed il consumo di energia ultrabasso, facente li adatti idealmente per le applicazioni a pile a distanza ed inaccessibili. La gamma di tensione in ingresso del comune-modo include la ferrovia negativa.

Una vasta gamma di opzioni d'imballaggio è disponibili, compreso le versioni del chip-trasportatore e del piccolo-profilo per le applicazioni di sistema ad alta densità.

Gli input e le uscite del dispositivo sono destinati per resistere – alle punte di corrente 100-mA senza fermo-su sostenente.

I TLC27L2 e i TLC27L7 comprendono i circuiti interni che impediscono i guasti funzionali alle tensioni fino a 2000 V così provate sotto MIL-STD-883C, il metodo 3015,2 della ESD-protezione; tuttavia, la cura dovrebbe essere esercitata nel trattamento dei questi dispositivi come esposizione a ESD può provocare la degradazione della prestazione parametrica del dispositivo.

I dispositivi di C-suffisso sono caratterizzati per l'operazione da 0°C a 70°C. I dispositivi di Io-suffisso sono caratterizzati per l'operazione – da 40°C a 85°C. I dispositivi di M.-suffisso sono caratterizzati per l'operazione sopra la gamma di temperature militare completa – di 55°C a 125°C.

disegno schematico equivalente (ogni amplificatore)

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