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Nuovo & driver lato basso doppio originale MIC 4426BN del MOSFET 1.5A-Peak

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Driver lato basso IC Inverting 8-PDIP del portone
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di rifornimento:
+22V
Tensione in ingresso:
CONTRO + 0.3V a terra – 5V
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
150°C
Temperatura di stoccaggio:
– 65°C a +150°C
Temperatura del cavo (sec 10.):
300°C
Corrente d'uscita di punta:
1.5A
Punto culminante:

small scale integrated circuits

,

integrated components

Introduzione

MIC4426/4427/4428

Driver lato basso doppio del MOSFET 1.5A-Peak

Descrizione generale

La famiglia MIC4426/4427/4428 è driver doppi alto-affidabili del MOSFET di lowside fabbricati su un processo di BiCMOS/DMOS per basso consumo energetico ed alta efficienza. Questi driver traducono livelli logici di input di CMOS o di TTL ai livelli di tensione in uscita che oscillano all'interno di 25mV del rifornimento o della terra positivo. I dispositivi bipolari comparabili sono capaci dell'oscillazione soltanto all'interno di 1V del rifornimento. Il MIC4426/7/8 è disponibile in tre configurazioni: inversione doppia, noninverting doppio ed uno che inverte più un'uscita noninverting. I MIC4426/4427/4428 sono sostituzioni perno-compatibili per il MIC426/427/428 e il MIC1426/1427/1428 con la prestazione elettrica migliore e la progettazione irregolare (riferisca alle liste della sostituzione del dispositivo alla seguente pagina). Possono resistere a fino a 500mA della corrente inversa (neanche polarità) senza chiudere e fino alle punte di rumore 5V (qualsiasi polarità) sui perni a terra.

Soprattutto destinato ai MOSFETs di potere di azionamento, i driver MIC4426/7/8 sono adatti a determinare altri carichi (capacitivo, resistente, o induttivo) che richiedono il picco di corrente di bassa impedenza e alto ed il tempo di commutazione veloce. Altre applicazioni comprendono l'azionamento le linee molto caricate dell'orologio, i cavi coassiali, o dei trasduttori piezoelettrici. La sola limitazione del carico è che la dissipazione di potere totale del driver non deve superare i limiti del pacchetto.

Caratteristiche

• Costruzione di Bipolar/CMOS/DMOS

• Protezione del fermo-su alla corrente di inverso di >500mA

• corrente d'uscita 1.5A-peak

• 4.5V a raggio d'azione 18V

• Corrente tranquilla bassa del rifornimento

4mA a logica 1 input

400µA a logica 0 input

• Commutatori 1000pF in 25ns

• Tempi abbinati del rall e di aumento

• impedenza dell'uscita 7Ω

• < 40ns="" typical="" delay="">

• indipendente della soglia dell'Logica-input da tensione di rifornimento

• protezione dell'Logica-input – a 5V

• capacità equivalente tipica dell'input 6pF

• contrappeso massimo dell'uscita 25mV da rifornimento o da terra

• Sostituisce MIC426/427/428 e MIC1426/1427/1428

• Inversione doppia, noninverting doppio ed invertire le configurazioni noninverting

• Protezione di ESD

Applicazioni

• Driver del MOSFET

• Linea driver dell'orologio

• Driver di cavo coassiale

• Driver del trasduttore di Piezoelectic

Diagramma funzionale

Pin Configuration

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1,8 NC non internamente collegato
2 INA Il controllo ha introdotto A: Input compatibile di logica di TTL/CMOS.
3 Terra Terra
4 INB Il controllo ha introdotto la B: Input compatibile di logica di TTL/CMOS.
5 OUTB Uscita B: Uscita del totem di CMOS.
6 CONTRO Input del rifornimento: +4.5V a +18V
7 OUTA Uscita A: Uscita del totem di CMOS.

Valutazioni massime assolute (nota 1)

Tensione di rifornimento (CONTRO) .................................................... +22V

Tensione in ingresso (VIN) ......................... CONTRO + 0.3V a terra – 5V

Temperatura di giunzione (TJ) ........................................ 150°C

Temperatura di stoccaggio ............................... – 65°C a +150°C

Temperatura del cavo (sec 10.) ...................................... 300°C

Valutazione di ESD, nota 3

Valutazioni di funzionamento (nota 2)

Tensione di rifornimento (CONTRO) ..................................... +4.5V a +18V

Gamma di temperature (TUM)

(A) ........................................................ – 55°C a +125°C

(B) .......................................................... – 40°C a +85°C

Resistenza termica del pacchetto

ΘJA ............................................................ 130°C/W di PDIP

ΘJC ............................................................. 42°C/W di PDIP

ΘJA ........................................................... 120°C/W di SOIC

ΘJC ............................................................. 75°C/W di SOIC

ΘJC ......................................................... 250°C/W di MSOP

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