Nuovo & driver lato basso doppio originale MIC 4426BN del MOSFET 1.5A-Peak
small scale integrated circuits
,integrated components
MIC4426/4427/4428
Driver lato basso doppio del MOSFET 1.5A-Peak
Descrizione generale
La famiglia MIC4426/4427/4428 è driver doppi alto-affidabili del MOSFET di lowside fabbricati su un processo di BiCMOS/DMOS per basso consumo energetico ed alta efficienza. Questi driver traducono livelli logici di input di CMOS o di TTL ai livelli di tensione in uscita che oscillano all'interno di 25mV del rifornimento o della terra positivo. I dispositivi bipolari comparabili sono capaci dell'oscillazione soltanto all'interno di 1V del rifornimento. Il MIC4426/7/8 è disponibile in tre configurazioni: inversione doppia, noninverting doppio ed uno che inverte più un'uscita noninverting. I MIC4426/4427/4428 sono sostituzioni perno-compatibili per il MIC426/427/428 e il MIC1426/1427/1428 con la prestazione elettrica migliore e la progettazione irregolare (riferisca alle liste della sostituzione del dispositivo alla seguente pagina). Possono resistere a fino a 500mA della corrente inversa (neanche polarità) senza chiudere e fino alle punte di rumore 5V (qualsiasi polarità) sui perni a terra.
Soprattutto destinato ai MOSFETs di potere di azionamento, i driver MIC4426/7/8 sono adatti a determinare altri carichi (capacitivo, resistente, o induttivo) che richiedono il picco di corrente di bassa impedenza e alto ed il tempo di commutazione veloce. Altre applicazioni comprendono l'azionamento le linee molto caricate dell'orologio, i cavi coassiali, o dei trasduttori piezoelettrici. La sola limitazione del carico è che la dissipazione di potere totale del driver non deve superare i limiti del pacchetto.
Caratteristiche
• Costruzione di Bipolar/CMOS/DMOS
• Protezione del fermo-su alla corrente di inverso di >500mA
• corrente d'uscita 1.5A-peak
• 4.5V a raggio d'azione 18V
• Corrente tranquilla bassa del rifornimento
4mA a logica 1 input
400µA a logica 0 input
• Commutatori 1000pF in 25ns
• Tempi abbinati del rall e di aumento
• impedenza dell'uscita 7Ω
• < 40ns="" typical="" delay="">
• indipendente della soglia dell'Logica-input da tensione di rifornimento
• protezione dell'Logica-input – a 5V
• capacità equivalente tipica dell'input 6pF
• contrappeso massimo dell'uscita 25mV da rifornimento o da terra
• Sostituisce MIC426/427/428 e MIC1426/1427/1428
• Inversione doppia, noninverting doppio ed invertire le configurazioni noninverting
• Protezione di ESD
Applicazioni
• Driver del MOSFET
• Linea driver dell'orologio
• Driver di cavo coassiale
• Driver del trasduttore di Piezoelectic
Diagramma funzionale
Pin Configuration
Pin Description
Pin Number | Pin Name | Pin Function |
1,8 | NC | non internamente collegato |
2 | INA | Il controllo ha introdotto A: Input compatibile di logica di TTL/CMOS. |
3 | Terra | Terra |
4 | INB | Il controllo ha introdotto la B: Input compatibile di logica di TTL/CMOS. |
5 | OUTB | Uscita B: Uscita del totem di CMOS. |
6 | CONTRO | Input del rifornimento: +4.5V a +18V |
7 | OUTA | Uscita A: Uscita del totem di CMOS. |
Valutazioni massime assolute (nota 1)
Tensione di rifornimento (CONTRO) .................................................... +22V
Tensione in ingresso (VIN) ......................... CONTRO + 0.3V a terra – 5V
Temperatura di giunzione (TJ) ........................................ 150°C
Temperatura di stoccaggio ............................... – 65°C a +150°C
Temperatura del cavo (sec 10.) ...................................... 300°C
Valutazione di ESD, nota 3
Valutazioni di funzionamento (nota 2)
Tensione di rifornimento (CONTRO) ..................................... +4.5V a +18V
Gamma di temperature (TUM)
(A) ........................................................ – 55°C a +125°C
(B) .......................................................... – 40°C a +85°C
Resistenza termica del pacchetto
ΘJA ............................................................ 130°C/W di PDIP
ΘJC ............................................................. 42°C/W di PDIP
ΘJA ........................................................... 120°C/W di SOIC
ΘJC ............................................................. 75°C/W di SOIC
ΘJC ......................................................... 250°C/W di MSOP
Circuiti della prova