GaAs Ired & foto - transistor, regolatore programmabile TLP504A-2
chip in electronics
,integrated components
Fotoisolatore GaAs Ired & Photo−Transistor di TOSHIBA
TLP504A, TLP504A−2
CA dei regolatori programmabili/relè semi conduttore modulo di DC−Input
TOSHIBA TLP504A e TLP504A−2 consiste di un photo−transistor otticamente accoppiato ad un diodo d'emissione infrarosso dell'arsenuro di gallio.
Il TLP504A offre due canali isolati in un pacchetto di plastica della IMMERSIONE di otto cavi, mentre il TLP504A−2 fornisce quattro canali isolati in un pacchetto di plastica della IMMERSIONE sedici.
• Tensione di Collector−emitter: 55 V (minuto)
• Rapporto di trasferimento corrente: rango GB di 50% (minuto): 100% (minuto)
• Tensione di isolamento: 2500 Vrms (minuto)
• L'UL ha riconosciuto: UL1577,
No. E67349 dell'archivio
Pin Configurations (vista superiore)
Valutazioni massime assolute (tum = 25°C)
| Caratteristica | Simbolo | Valutazione | Unità | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| LED | Corrente di andata | SE | 60 | 50 | mA |
| Ridurre le imposte corrente di andata | ΔIF/°C | −0.7 (≥ di tum 39°C) | −0.5 (≥ di tum 25°C) | mA/°C | |
| Pulsi in avanti corrente | IFP | 1 (100μs impulso, 100pps) | |||
| Tensione inversa | VR | 5 | V | ||
| Temperatura di giunzione | Tj | 125 | °C | ||
| Rivelatore | Tensione di Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Tensione di Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Corrente di collettore | IC | 50 | mA | ||
| Dissipazione di potere del collettore (1 circuito) | PC | 150 | 100 | Mw | |
|
Ridurre le imposte di dissipazione di potere del collettore (1 ≥ di tum del circuito 25°C) |
ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | Mw/°C | |
| Temperatura di giunzione | Tj | 125 | °C | ||
| Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | −55~150 | °C | ||
| Gamma di temperatura di funzionamento | Topr | −55~100 | °C | ||
| Temperatura di saldatura del cavo | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
| Dissipazione di potere totale del pacchetto | RT | 250 | 150 | Mw | |
|
Ridurre le imposte totale di dissipazione di potere del pacchetto (≥ di tum 25°C) |
ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | Mw/°C | |
| Tensione di isolamento | BVS |
2500 (CA, 1min., R.H.≤ 60%) (Nota 1) |
Vrms | ||
Nota: Facendo uso di continuamente nell'ambito degli oneri gravosi (per esempio l'applicazione di temperatura elevata/corrente/tensione ed il cambiamento significativo nella temperatura, ecc.) può indurre questo prodotto a diminuire significativamente nell'affidabilità anche se le condizioni di gestione (cioè temperatura di funzionamento/corrente/tensione, ecc.) sono all'interno delle valutazioni massime assolute.
Prego progettazione l'affidabilità appropriata sopra l'esame del manuale di affidabilità a semiconduttore di Toshiba («trattando»/«di precauzioni che riduce le imposte su concetto e metodi ") e diversi dati di affidabilità (cioè relazione sull'esperimento di affidabilità ed incidenza guasti, ecc stimati).
Nota 1: Il dispositivo ha considerato i due apparecchiatura terminale: I perni laterali del LED hanno messo insieme e perni del lato del rivelatore messi insieme.
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