Transistor (Npn) per le applicazioni generali di Af, alta corrente di collettore Bc817-40
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor di AF del silicio di NPN
• Per le applicazioni generali di AF
• Alta corrente di collettore
• Guadagno a corrente forte
• Tensione di saturazione bassa dell'collettore-emettitore
• Tipi complementari: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• (RoHS compiacente) package1 senza Pb)
• Qualificato conciliando CEA Q101
VALUTAZIONI MASSIME (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | 50 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 45 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
IC | Corrente di collettore - continua | 0,5 | |
PC | Dissipazione di potere del collettore | 0,3 | W |
Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55-150 | ℃ |
Caratteristiche tipiche