Transistor NPN del Mosfet di potere BFR520 un transistor a larga banda di 9 gigahertz
multi emitter transistor
,silicon power transistors
NPN un transistor a larga banda di 9 gigahertz BFR520
CARATTERISTICHE
• Guadagno di alto potere
• Figura a basso rumore
• Alta frequenza di transizione
• La metalizzazione dell'oro assicura l'affidabilità eccellente.
DESCRIZIONE
Il BFR520 è un transistore epitassiale planare del silicio del npn, destinato alle applicazioni nella rf a fine frontale nelle applicazioni a larga banda nella gamma del gigahertz, quali i telefoni cellulari analogici e digitali, i telefoni cordless (CT1, CT2, DECT, ecc.), i rivelatori del radar, gli impaginatori ed i sintonizzatori della televisione via satellite (SATV) e gli amplificatori del ripetitore nei sistemi fibra-ottici. Il transistor è incapsulato in una busta di plastica SOT23
VALORI LIMITE
Conformemente al sistema massimo assoluto (IEC 134).
SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | Minuto. | MASSIMO. | UNITÀ |
VCBO | tensione della collettore-base | emettitore aperto | − | 20 | V |
VCES | tensione dell'collettore-emettitore | RBE = 0 | − | 15 | V |
VEBO | tensione emittenta-base | collettore aperto | − | 2,5 | V |
CC DI C | corrente di collettore | − | 70 | mA | |
Ptot | dissipazione di potere totale | fino a st = °C 97; nota 1 | − | 300 | Mw |
Tstg | temperatura di stoccaggio | −65 | 150 | °C |