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Transistor del mosfet di alto potere di MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementare

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un supporto di superficie DPAK di 25MHz 20 W
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Collector−Emitter:
100 V CC
Tensione di Collector−Base:
100 V CC
Tensione di Emitter−Base:
5 VCC
Corrente di base:
mAdc 50
Dissipazione di potere totale @ TC = 25°C:
20 W
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento:
−65 a °C +150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

Transistor del mosfet di alto potere di MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementare

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

DarliCM GROUPon Power Transistors complementare

DPAK per le applicazioni di superficie del supporto

TRANSISTOR DI POTENZA DEL SILICIO

2 AMPÈRI

100 VOLT

20 WATT

Progettato per potere per tutti gli usi e la commutazione quali le fasi di driver o dell'uscita nelle applicazioni quali i regolatori di commutazione, i convertitori e gli amplificatori di potenza.

Caratteristiche

• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili

• Cavo formato per le applicazioni di superficie del supporto in maniche di plastica (nessun suffisso)

• Versione diritta del cavo suffisso delle maniche di plastica in ("−1»)

• Versione formata cavo in un nastro da 16 millimetri ed in bobina («T4» e suffisso «di RL»)

• Elettricamente simile alla serie popolare TIP31 e TIP32

VALUTAZIONI MASSIME

Valutazione Simbolo Massimo Unità
Tensione di Collector−Emitter VCEO 100 VCC
Tensione di Collector−Base VCB 100 VCC
Tensione di Emitter−Base VEB 5 VCC

− della corrente di collettore continuo

Picco

IC

2

4

ADC
Corrente di base IB 50 mAdc

Dissipazione di potere totale @ TC = 25°C

Riduca le imposte su sopra 25°C

Palladio

20

0,16

W

W/°C

TUM di Dissipation* di potere @ = 25°C totali

Riduca le imposte su sopra 25°C

Palladio

1,75

0,014

W

W/°C

Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento TJ, Tstg −65 a +150 °C

Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere. Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non condizioni operative normali) e sono invalide simultaneamente. Se questi limiti sono oltrepassati, l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata, il danno può accadere e l'affidabilità può essere colpita.

DIAGRAMMI DI SEGNO

DIMENSIONI DEL PACCHETTO

DPAK

CASO 369C

EDIZIONE O

DPAK−3

CASO 369D−01

EDIZIONE B

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