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Nuovo & silicio originale NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
160v
Collector-emitter voltage:
150V
Tensione emittenta-base:
5V
Corrente di collettore:
10A
Base current:
1A
Dissipazione di potere del collettore:
100W
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Silicio NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390

DESCRIZIONE

·Con il pacchetto di TO-3PN

·Complemento per scrivere 2SB1560 a macchina

·Alto guadagno corrente di CC

APPLICAZIONI

·Audio, regolatore ed uso generale

APPUNTARE

PIN DESCRIZIONE
1 Base
2

Collettore; collegato a

montaggio della base

3 Emettitore

CARATTERISTICHE Tj=25℃ salvo specificazione contraria

SIMBOLO PARAMETRO CIRCOSTANZE MIN TIPO. Max UNITÀ
CEO DI V (BR) tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore IC =30mA; IB =0 150 V
VCEsat tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore IC =7A; IB =7mA 2,5 V
VBEsat Tensione di saturazione dell'emettitore di base IC =7A; IB =7mA 3,0 V
ICBO Corrente di taglio di collettore IE =0 DI VCB =160V 100 μA
IEBO Corrente di taglio dell'emettitore VEB =5V; IC =0 100 μA
hFE Guadagno corrente di CC IC =7A; VCE =4V 5000
Pannocchia Capacità di uscita IE =0; VCB =10V; f=1MHz 95 PF
fT Frequenza di transizione IC =2A; VCE =12V 55 Megahertz
Periodi di commutazione
tonnellata Tempo d'apertura

IC =7A; RL =10Ω

IB1 = - IB2 =7MA

VCC =70V

0,5 μs
st Tempo di immagazzinamento 10,0 μs
tf Tempo di caduta 1,1 μs

classificazioni del hFE del ‹

O P Y
5000-12000 6500-20000 15000-30000

PROFILO DEL PACCHETTO

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