Transistor di potenza del silicio PNP (applicazioni) dell'amplificatore di potenza 2SA1943
npn smd transistor
,silicon power transistors
Transistor di potenza 2SA1943 del silicio PNP
DESCRIZIONE
·Con il pacchetto di TO-3PL
·Complemento per scrivere 2SC5200 a macchina
APPLICAZIONI
·Applicazioni dell'amplificatore di potenza
·Raccomandato per l'alta fedeltà 100W
stadio di uscita dell'amplificatore di audio frequenza
APPUNTARE
PIN | DESCRIZIONE |
1 | Emettitore |
2 |
Collettore; collegato a montaggio della base |
3 | Base |
CARATTERISTICHE Tj=25℃ salvo specificazione contraria
SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | MIN | TIPO. | Max | UNITÀ |
CEO DI V (BR) | tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
VCEsat | tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
VBE | Tensione dell'emettitore di base | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
ICBO | Corrente di taglio di collettore | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
IEBO | Corrente di taglio dell'emettitore | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
hFE-1 | Guadagno corrente di CC | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
hFE-2 | Guadagno corrente di CC | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
fT | Frequenza di transizione | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | Megahertz | ||
PANNOCCHIA | Capacità di uscita del collettore | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | PF |
classificazioni del hFE-1
R | O |
55-110 | 80-160 |
PROFILO DEL PACCHETTO