	Immagine	parte #	Descrizione	fabbricante	Di riserva	RFQ
		IGBT 600V 22A 156W ha isolato il transistor bipolare IRGB10B60KDPBF del portone	IGBT NPT 600 V 22 A 156 W attraverso il foro TO-220AB
		Il transistor del Mosfet di potere di MGW12N120D ha isolato il transistor bipolare del portone con il diodo antiparallelo	IGBT
		IRG4BC30UD HA ISOLATO il mosfet BIPOLARE di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE	IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
		IRG4BC20KDPBF HA ISOLATO il mosfet BIPOLARE di potere basso del TRANSISTOR del PORTONE	IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
		Alto transistor di conduttanza IGBT/tensione ad alta velocità 75V del diodo di commutazione BAV99	Supporto di superficie a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del collegamento in serie 75 V 150
		Transistor ad effetto campo ad alta precisione MBR20100CTP Transistor bipolare a porta isolata	Un catodo comune a serie di diodi 100 V di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
		TC4421AVOA Driver MOSFET ad alta velocità con chip a circuito integrato 9A	Circuito integrato del driver del gate low-side che inverte 8-SOIC