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resistor equipped transistor

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parole chiavi   [ resistor equipped transistor ]  Partita 51 prodotti.
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW di rf
Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP

Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP

Transistor bipolare (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W attraverso il foro TO-220
Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Transistor bipolare (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W attraverso il foro MT-200
Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
Chip a circuito integrato L293B PUSH PULL DRIVER A QUATTRO CANALI

Chip a circuito integrato L293B PUSH PULL DRIVER A QUATTRO CANALI
Driver bipolare Parallel 16-DIP del motore
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