LM2665M6/NOPB ha commutato il montaggio di IC SMD/SMT della gestione del percorso di potere del convertitore di Vltg del condensatore
microchip battery management
,power management integrated circuit
CONVERTITORE del CONDENSATORE COMMUTATO regolatori di tensione di commutazione VLTG di IC della gestione del percorso di potere di LM2665M6/NOPB
Caratteristiche 1
- Tensione in ingresso per il duplicatore di tensione: 2,5 V - 5,5 V
-
Il divisore di tensione spacca la tensione: 1,8 V - 11 V
-
I doppi o le spaccature hanno introdotto la tensione di rifornimento
-
impedenza tipica dell'uscita 12-Ω
-
Efficienza di conversione tipica di 90% a 40 mA
-
corrente tipica di arresto 1-μA
2 applicazioni
-
Telefoni cellulari
-
Impaginatori
-
PDAs
-
Fornitori di potere dell'amplificatore operazionale
-
Fornitori di potere dell'interfaccia
-
Strumenti tenuti in mano
-
Rivelazione d'incendio e notifica
-
Radio tenute in mano industriali
-
Monitor di pressione sanguigna
Descrizione 3
Il convertitore di tensione della pompa di carica di LM2665 CMOS funziona come duplicatore di tensione per una tensione in ingresso nell'ordine di 2,5 V a 5,5 V. Due condensatori a basso costo e un diodo (stato necessario durante la partenza) sono utilizzati in questo circuito per fornire fino a 40 mA di corrente d'uscita. Il LM2665 può anche lavorare come divisore di tensione per spaccare una tensione nell'ordine di 1,8 V - 11 V a metà.
Il LM2665 funziona a frequenza dell'oscillatore 160-kHz per ridurre la resistenza di uscita e l'ondulazione di tensione. Con una corrente di funzionamento soltanto 650 di μA (efficienza di funzionamento maggior di 90% con la maggior parte dei carichi) e 1 corrente tipica di arresto del μA, il LM2665 fornisce la prestazione ideale per i sistemi a pile.
Informazioni del dispositivo
|
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
|
LM2665 |
SOT-23 (6) |
2,90 millimetri di × 1,60 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|