Gestione IC 10-VSSOP tempo morti programmabile -40 - 125 del percorso di potere di LM5106MMX
microchip battery management
,power management integrated circuit
Gestione IC 10-VSSOP tempo morti programmabile -40 - 125 del percorso di potere di LM5106MMX
Caratteristiche 1
- Azionamenti sia un MOSFET lato alto che lato basso di N-Manica
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corrente del lavandino dell'uscita di punta 1.8-A
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corrente di fonte dell'uscita di punta 1.2-A
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Gamma di tensione di rifornimento della linguetta per calzare gli stivali fino a CC 118-V
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Singolo input compatibile di TTL
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Ritardi programmabili di Turnon (tempi morti)
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Permetta al Pin introdotto
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Ritardi di propagazione veloci della strada secondaria (32 NS tipici)
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Guida 1000 PF con 15 aumenti di NS e tempo di caduta di 10 NS
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Serrata di Undervoltage della ferrovia del rifornimento
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Basso consumo energetico
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pacchetto di 10-Pin WSON (4 millimetri di × 4 millimetri) e 10 - pacchetto di Pin VSSOP
2 applicazioni
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Azionamenti semi conduttori del motore
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Convertitori di potere del Interamente ponte e del Mezzo ponte
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Due convertitori di potere di andata del commutatore
Descrizione 3
Il LM5106 è un driver ad alta tensione del portone destinato per guidare sia i MOSFETs lati alto che lati basso di N-Manica in una configurazione sincrona del mezzo ponte o del dollaro. Il driver lato alto di galleggiamento può lavorare con le tensioni fino a 100 V. della ferrovia. Il singolo input di controllo è compatibile con i livelli di segnale di TTL e programmi esterni i singoli di una resistenza la transizione di commutazione tempa morti tramite i circuiti di ritardo strettamente abbinati del turnon. La tecnologia livellata robusta dello spostamento funziona all'alta velocità mentre consuma il potere basso e fornisce le transizioni pulite dell'uscita. La serrata di Undervoltage (UVLO) disattiva il driver del portone quando il lato basso o la tensione di rifornimento lata alto legata è sotto la soglia di funzionamento. Il LM5106 è offerto 10 nel perno VSSOP o i 10 termicamente migliorati - pacchetto di plastica del perno WSON.
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
LM5106 |
VSSOP (10) |
3,00 millimetri di × 3,00 millimetri |
WSON (10) |
4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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