Gestione IC del percorso di potere di TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR
microchip battery management
,power management integrated circuit
Registro di volt fisso regolatori di tensione di IC LDO LDO della gestione del percorso di potere di TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR
Caratteristiche 1
- 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V ed opzioni di tensione dell'Regolabile-uscita
-
Una corrente d'uscita di 800 mA
-
Tensione specificata di interruzione procedura ai livelli attuali multipli
-
0,2% linee massimo di regolamento
-
0,4% massimi di regolamento del carico
2 applicazioni
-
Punti di vendita elettronici
-
Medico, salute ed applicazioni di forma fisica
-
Stampanti
-
Apparecchi e elettrodomestici bianchi
-
Decoder della TV
Descrizione 3
Il dispositivo TLV1117 è un regolatore di tensione positivo di basso interruzione procedura destinato per fornire fino a 800 mA di corrente d'uscita. Il dispositivo è disponibile in 1.5-V, in 1.8-V, in 2.5-V, in 3.3-V, in 5-V e nelle opzioni di tensione dell'regolabile-uscita. Tutti i circuiti interni sono destinati per funzionare giù al differenziale dell'input--uscita 1-V. La tensione di interruzione procedura è specificata ad un massimo di 1,3 V a 800 mA, diminuente alle correnti più basse del carico.
Informazioni del dispositivo
|
NUMERO DI ORDINE |
PACCHETTO (PIN) |
DIMENSIONE CORPOREA |
|
TLV1117DCY |
SOT-223 (4) |
6,50 millimetri di × 3,50 millimetri |
|
TLV1117DRJ |
FIGLIO (8) |
4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |
|
TLV1117KVU |
TO-252 (3) |
6,60 millimetri di × 6,10 millimetri |
|
TLV1117KCS |
TO-220 (3) |
10,16 millimetri di × 8,70 millimetri |
|
TLV1117KCT |
TO-220 (3) |
10,16 millimetri di × 8,59 millimetri |
|
TLV1117KTT |
DDPAK, TO-263 (3) |
10,18 millimetri di × 8,41 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|