Regolatori di tensione 1A, correzione Vltg LDO di IC LDO della gestione del percorso di potere di TLV1117LV12DCYR TLV1117LV15DCYR TLV1117LV33DCYR di posizione
microchip battery management
,power management integrated circuit
Regolatori di tensione 1A, correzione Vltg LDO di IC LDO della gestione del percorso di potere di TLV1117LV12DCYR TLV1117LV15DCYR TLV1117LV33DCYR di posizione
Caratteristiche 1
- 1,5% accuratezza tipica
• Quoziente d'intelligenza basso: 100 μA (massimo)
– 500 di volte dispositivi standard più in basso 1117
• VIN: 2Vto5.5V
– Massimo assoluto VIN = 6 V
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Stalla con la corrente d'uscita 0-mA
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LowDropout: 455mVat1AforVOUT =3.3V
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Alto PSRR: dB 65 a 1 chilociclo
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Limite corrente assicurato minimo: 1,1 A
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Stalla con i condensatori ceramici redditizi:
– Con 0-Ω esr
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Gamma di temperature: – 40°C a 125°C
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Protezione termica di sovracorrente e di arresto
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Disponibile in pacchetto SOT-223
– Si veda meccanico, l'imballaggio e le informazioni ordinabili all'estremità di questo documento per una lista completa delle opzioni disponibili di tensione.
2 applicazioni
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Decoder
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TV e monitor
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Unità periferiche del PC, taccuini, schede madri
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Modem ed altri prodotti di comunicazione
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Post-regolamento di commutazione dell'alimentazione elettrica
Descrizione 3
La serie di TLV1117LV di regolatori lineari di basso interruzione procedura (LDO) è una versione bassa di tensione in ingresso del regolatore di tensione popolare TLV1117.
Il TLV1117LV è estremamente - un dispositivo a bassa potenza che consuma la corrente tranquilla più bassa 500 volte che i 1117 regolatori di tensione tradizionali, rendente il dispositivo adatto ad applicazioni che affidano la corrente in mandato standby molto bassa. La famiglia di TLV1117LV di LDOs è inoltre stabile con 0 mA della corrente del carico; non c'è requisito minimo del carico, operante al dispositivo una scelta ideale delle applicazioni dove il regolatore deve alimentare i carichi molto piccoli durante il appoggio oltre alle grandi correnti sull'ordine di 1 A durante l'operazione normale. Il TLV1117LV offre la linea ed il carico eccellenti la prestazione transitoria, con conseguente undershoots molto piccoli di grandezza ed oltrepassa di tensione in uscita quando le variazioni normali di requisito del carico da meno di 1 mA a più di 500 mA.
Un amplificatore del bandgap e di errori di precisione fornisce l'accuratezza 1,5%. Un rapporto di rifiuto molto alto dell'alimentazione di corrente (PSRR) permette all'uso del dispositivo per il regolamento post- dopo un regolatore di commutazione. Altre caratteristiche importanti comprendono la tensione bassa di rumore e di basso interruzione procedura dell'uscita.
Il dispositivo internamente è compensato per essere stabile con i condensatori equivalenti della resistenza di serie 0-Ω (esr). Questi vantaggi chiave permettono all'uso dei condensatori ceramici redditizi e di piccola dimensione. I condensatori redditizi che hanno le più alte tensioni di polarizzazione e temperatura che riducono le imposte possono anche essere utilizzati se desiderati.
La serie di TLV1117LV è disponibile in un pacchetto SOT-223.
Informazioni del dispositivo
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NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
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TLV1117LV |
SOT-223 (4) |
6,50 millimetri x 3,50 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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