Regolatori di tensione di commutazione 4.5-17Vin, 6A Syn Step Down Cnvrtr di IC della gestione del percorso di potere di TPS54622RHLR
microchip battery management
,power management integrated circuit
Regolatori di tensione di commutazione 4.5-17Vin, 6A Syn Step Down Cnvrtr di IC della gestione del percorso di potere di TPS54622RHLR
Caratteristiche 1
- Integrato 26 mΩ e 19 MOSFETs del mΩ
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Ferrovia spaccata di potere: 1,6 V - 17 V su PVIN
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200-kHz a frequenza di commutazione 1.6-MHz
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Sincronizza all'orologio esterno
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temperatura eccessiva di riferimento di tensione di 0.6V ±1%
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Limite corrente del singhiozzo
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Partenza monotona nelle uscite di Prebiased
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– 40°C alla gamma di temperature della giunzione di funzionamento 150°C
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Inizio ed ordinamento di potere lenti regolabili
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Buon monitor dell'uscita di potere per Undervoltage e la sovratensione
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Serrata introdotta regolabile di Undervoltage
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Per la documentazione di SWIFTTM, visita
http://www.ti.com/swift
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Crei progettano facendo uso del TPS54622 con il progettista di potere di WEBENCH®
2 applicazioni
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Centrali elettriche distribuite ad alta densità
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Regolamento ad alto rendimento del Punto-de-carico
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Banda larga, rete ed infrastruttura di comunicazioni ottiche
Descrizione 3
Il dispositivo TPS54622 in 3,5 pacchetto termicamente migliorato di millimetro VQFN del × 3,5 di millimetro è un 17-V completo, il convertitore scendere sincrono 6-A ottimizzato per le piccole progettazioni through alta efficienza ed integrando i MOSFETs lati alto e lati basso. Ulteriore risparmio di spazio è raggiunto con controllo corrente del modo, che riduce il conteggio componente e selezionando un'alta frequenza di commutazione, riducente l'orma dell'induttore.
La rampa della partenza di tensione in uscita è controllata dal perno di SS/TR, che permette l'operazione come alimentazione elettrica autonoma o nelle situazioni d'inseguimento. L'ordinamento di potere è inoltre possibile correttamente dalla configurazione permettere a e perni di potere dello aperto scolo dai buoni.
la limitazione corrente del Ciclo-da-ciclo sul FET lato alto protegge il dispositivo nelle situazioni di sovraccarico ed è migliorata da un limite corrente di sourcing lato basso che impedisce l'instabilità corrente. C'è inoltre un limite corrente d'affondamento lato basso che spegne il MOSFET lato basso per impedire l'eccessiva corrente inversa. La protezione del singhiozzo è avviata se lo stato di sovracorrente ha persistito per più lungo del tempo prestabilito. La protezione termica del singhiozzo disattiva il dispositivo quando la temperatura del dado supera la temperatura termica di arresto e permette alla parte ancora dopo il tempo termico incorporato del singhiozzo di arresto.
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO | PACCHETTO | DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
TPS54622 | VQFN (14) | 3,50 millimetri di × 3,50 millimetri |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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