L'input basso di commutazione Vltg dei regolatori di tensione di IC della gestione del percorso di potere di TLV61220DBVR aumenta il convertitore
battery charge management ic
,microchip battery management
Caratteristiche 1
- Efficienza di fino a 95% alle condizioni di gestione tipiche
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corrente tranquilla 5.5-μA
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La partenza nel carico a 0.7-V la tensione in ingresso
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Tensione in ingresso di funzionamento da 0,7 V a 5,5 V
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Passaggio-attraverso la funzione durante l'arresto
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Corrente di commutazione minima 200 mA
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Protezioni:
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– Sovratensione dell'uscita
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– Temperatura eccessiva
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– Serrata introdotta di Undervoltage
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Tensione in uscita regolabile da 1,8 V a 5,5 V
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Pacchetto sottile 6 perno SOT-23 del piccolo
2 applicazioni
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Applicazioni a pile
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– cellula 1 - 3 alcalina, NiCd o NiMH
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– 1 Li-ione delle cellule o Li-primario
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Solare o Fuel Cell ha alimentato le applicazioni
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Consumatore e prodotti medici portatili
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Prodotti di cura personale
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Bianco o stato LED
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Smartphones
Descrizione 3
Il dispositivo TLV61220 fornisce una soluzione dell'alimentazione di corrente per i prodotti alimentati da un unicellulare, due-cellula, o tre-cellula alcalina, NiCd o NiMH, o batteria unicellulare del Li-polimero o dello Li-ione. Le correnti d'uscita possibili dipendono dal rapporto di tensione dell'input--uscita. Il convertitore di spinta è basato su una topologia hysteretic del regolatore facendo uso della rettifica sincrona per ottenere l'efficienza massima alle correnti tranquille minime. La tensione in uscita della versione regolabile può essere programmata da un divisore esterno della resistenza, o è messa internamente ad una tensione in uscita fissa. Il convertitore può essere spento dall'descritto permette al perno. Mentre è spento, lo scolo di batteria è minimizzato. Il dispositivo è imballato 6 in un pacchetto sottile del perno SOT-23 (DBV).
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
TLV61220 |
BEONE (6) |
2,90 millimetri x 1,60 millimetri |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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