Regolatori di tensione 250-mA LDO di TPS76618DR Power Path Management IC LDO
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Regolatori di tensione 250-mA LDO di TPS76618DR Power Path Management IC LDO
CARATTERISTICHE
- regolatore di tensione basso di interruzione procedura 250-mA
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Disponibile in 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 2,7 V, 2,8 V,
3,0 V, un'uscita fissa V di 5,0, di 3,3 V e versioni regolabili -
Tensione di interruzione procedura a 140 sistemi MV (tipo) a 250 mA (TPS76650)
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Una corrente tranquilla tipica ultrabassa di 35 μA
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Tolleranza di 3% sopra i termini specificati per
Versioni fisse dell'uscita
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Potere dello Aperto scolo buon
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pacchetto di 8-Pin SOIC
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Protezione termica di arresto
DESCRIZIONE
Questo dispositivo è destinato per avere una corrente tranquilla ultrabassa e per essere stabile con un condensatore di 4,7 μF. Questa combinazione fornisce il rendimento elevato ad un costo ragionevole.
Poiché il dispositivo di PMOS si comporta come resistenza di basso valore, la tensione di interruzione procedura è molto bassa (in genere 230 sistemi MV ad una corrente d'uscita di 250 mA per il TPS76650) ed è direttamente proporzionale alla corrente d'uscita. Ulteriormente, poiché l'elemento del passaggio di PMOS è da un dispositivo guidato da tensione, la corrente tranquilla è molto bassa ed indipendente da caricamento dell'uscita (μA in genere 35 sopra la gamma completa di corrente d'uscita, 0 mA - 250 mA). Queste due specifiche chiave rendono un miglioramento significativo nella durata di funzionamento per i sistemi a pile. Questa famiglia di LDO inoltre caratterizza uno sleep mode; applicando un alto segnale di TTL all'en (permetta a) interrompono il regolatore, riducente la corrente tranquilla a meno di 1 μA (tipo).
Il potere buon (PAGINA) è un ad alto rendimento attivo che può essere usato per implementare una risistemazione accesa o un indicatore della basso batteria.
Il TPS766xx è offerto in 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 2,7 V, 2,8 V, 3,0 V, 3,3 V e 5,0 versioni a voltaggio fisso di V ed in una versione regolabile (programmabile sopra la gamma di 1,25 V a 5,5 V). La tolleranza di tensione in uscita è specificata come massimo di 3% sopra la linea, il carico e le gamme di temperature. La famiglia di TPS766xx è disponibile 8 in un pacchetto del perno SOIC.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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