Cellula Li-Ion Batt di serie delle gestioni 3 - 5 della batteria di IC della gestione del percorso di potere di BQ7692003PWR BQ7693003DBTR BQ7694003DBTR
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Cellula Li-Ion Batt di serie delle gestioni 3 - 5 della batteria di IC della gestione del percorso di potere di BQ7692003PWR BQ7693003DBTR BQ7694003DBTR
Caratteristiche 1
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Caratteristiche del monitoraggio di AFE
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– Interfaccia digitale pura
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– La tensione interna delle cellule delle misure dell'ADC, muore la temperatura e termistore esterno
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– Lle misure separate e interne dell'ADC imballano corrente (contatore di coulomb)
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– Direttamente sostiene fino a tre termistori (103AT)
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Caratteristiche di protezione dell'hardware
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– Sovracorrente nello scarico (disturbo ossessivo compulsivo)
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– Cortocircuito nello scarico (SCD)
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– Sovratensione (OV)
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– Undervoltage (UV)
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– Localizzazione del guasto secondaria del protettore
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Caratteristiche supplementari
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– FETs d'equilibratura integrati delle cellule
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– Tassa, driver lati basso del FET di scarico NCH
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– Interruzione attenta per ospitare microcontroller
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– regolatore di tensione in uscita 2.5-V o 3.3-V
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– Nessuna programmazione di EEPROM necessaria
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– Massimo assoluto di tensione di alto rifornimento (fino a 108 V)
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– Interfaccia compatibile semplice di I2C (opzione di CRC)
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– Collegamento casuale delle cellule tollerante
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2 applicazioni
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Veicoli elettrici leggeri (LEV): eBikes, eScooters, pedelec e biciclette di pedale-aiuto
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Macchine utensili e strumenti di giardino
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Unità di backup della batteria (BBUS), sistemi di immagazzinamento dell'energia (ESS) e sistemi del gruppo di continuità (UPS)
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Backup senza fili della stazione base
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pacchetti industriali della batteria 12-V, 18-V, 24-V, 36-V e 48-V
Descrizione 3
La famiglia bq769x0 dei servire a fine frontale analogici robusti dei dispositivi (AFE) come componente di una soluzione completa del monitoraggio e di protezione del pacchetto per i sistemi di prossima generazione e ad alta potenza, quali i veicoli elettrici, le macchine utensili ed i gruppi di continuità leggeri. Il bq769x0 è progettato con potere basso in mente: I blocchi sotto- all'interno di IC possono essere permessi a o disabili di controllare il consumo corrente del chip globale e un modo della NAVE fornisce un modo semplice mettere il pacchetto in uno stato ultrabasso di potere.
Il dispositivo bq76920 sostiene le cellule di fino a 5 serie o i pacchetti tipici 18-V, il bq76930 tratta fino a 10 - cellule di serie o pacchetti tipici 36-V e gli impianti bq76940 per le cellule di fino a 15 serie o i pacchetti tipici 48-V. Varie chimiche della batteria possono essere dirette con i questi AFEs, compreso lo ione del litio, fosfato del ferro del litio e più. Con I2C, un regolatore ospite può usare il bq769x0 per implementare molte funzioni di gestione del pacchetto della batteria, come il controllo (tensioni delle cellule, corrente del pacchetto, temperature del pacchetto), la protezione (FETs di controllo scarico/della tassa) ed equilibratura. I convertitori integrati di A/D permettono ad una lettura puramente digitale dei parametri di sistema critici, con la calibratura trattata nel processo di fabbricazione del TI.
Informazioni del dispositivo
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NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
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bq76920 |
TSSOP (20) |
6,50 millimetri di × 4,40 millimetri |
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bq76930 |
TSSOP (30) |
7,80 millimetri di × 4,40 millimetri |
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bq76940 |
TSSOP (44) |
11,00 millimetri di × 4,40 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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