Negazione lineare dei regolatori di tensione 5.0V 0.1A di IC della gestione del percorso di potere di L79L05ACUTR
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Negazione lineare dei regolatori di tensione 5.0V 0.1A di IC della gestione del percorso di potere di L79L05ACUTR
Descrizione
Le serie di L79L di regolatori negativi del tre-terminale impiegano la limitazione corrente interna e l'arresto termico, rendente li essenzialmente indistruttibili. Se il dissipatore di calore adeguato è fornito, possono consegnare la corrente d'uscita di fino a 100 mA. Sono intese come regolatori a voltaggio fisso in una vasta gamma di applicazioni compreso il regolamento locale o su della carta per l'eliminazione dei problemi di distribuzione e di rumore connessi con il regolamento unico. Inoltre, possono essere usate con gli elementi del passaggio di potere per fare i regolatori di tensione a corrente forte. La serie di L79L usata come sostituzione di combinazione resistenza/del diodo Zener, offre un efficace miglioramento dell'impedenza dell'uscita di in genere due ordini di grandezza, con corrente tranquillo e più a basso rumore più bassi.
Caratteristiche elettriche
Tabella 3: Caratteristiche elettriche di L79L05AC e di L79L05AB
Simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Minuto. |
Tipo. |
Massimo. |
Unità |
Vo |
Tensione in uscita |
TJ =25°C |
-4,8 |
-5 |
-5,2 |
V |
Vo |
Tensione in uscita |
IO =1TO40MA, VI =-7TO-20V |
- 4,75 |
- 5,25 |
V |
|
IO =1TO70MA, VI =-10V |
- 4,75 |
- 5,25 |
||||
ΔVO |
Linea regolamento |
VI =-7TO-20V, TJ =25°C |
150 |
sistemi MV |
||
VI =-8TO-20V, TJ =25°C |
100 |
|||||
ΔVO |
Regolamento del carico |
IO =1TO100MA, TJ =25°C |
60 |
sistemi MV |
||
IO =1TO40MA, TJ =25°C |
30 |
|||||
Identificazione |
Corrente tranquilla |
TJ =25°C |
6 |
mA |
||
TJ = °C 125 |
5,5 |
mA |
||||
ΔId |
Cambiamento corrente tranquillo |
IO =1to40mA |
0,1 |
mA |
||
VI =-8to-20V |
1,5 |
|||||
en |
Tensione di rumore dell'uscita |
B = 10 hertz - 100 chilocicli, TJ = °C 25 |
40 |
μV |
||
SVR |
Rifiuto di tensione di rifornimento |
VI =-8to-18V, f=120HzIO =40 mA, TJ =25°C |
41 |
49 |
dB |
|
Vd |
Tensione di interruzione procedura |
1,7 |
V |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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