Gestione 1A, Sgl-Inp, cellula Li-Ion Batt Charger della batteria di IC della gestione del percorso di potere di BQ25060DQCR di Sgl
power management integrated circuit
,microchip battery management
Gestione 1A, Sgl-Inp, cellula Li-Ion Batt Charger della batteria di IC della gestione del percorso di potere di BQ25060DQCR di Sgl
CARATTERISTICHE
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valutazione dell'input 30V, con la protezione di sovratensione 10.5V (OVP)
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Regolatore del FET per il FET esterno della batteria per controllo di percorso di potere esterno (BGATE)
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Gestione dinamica di potere di tensione in ingresso
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50mA ha integrato il regolatore lineare di interruzione procedura bassa (LDO)
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Corrente di carica programmabile con il Pin dell'en e di ISET
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0,5% accuratezze di Voltage Regulation della batteria
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Accuratezza di regolamento della corrente di carica di 7%
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Regolazione termica e protezione
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Monitoraggio della batteria NTC durante la tassa
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Indicazione di stato – fare pagare/fatto
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Disponibile nel piccolo × 3mm di 2mm pacchetto del FIGLIO di 10 Pin
APPLICAZIONI
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Smart Phone
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Telefoni cellulari
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Riproduttori portatili
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Dispositivi tenuti in mano di potere basso
DESCRIZIONE
Il bq25060 è un caricabatteria lineare altamente integrato dello Li-ione mirato a alle applicazioni portatili spazio-limitate. Funziona a partire da una porta USB o dall'adattatore di CA e carica una batteria unicellulare dello Li-ione con fino a 1A della corrente di carica. La gamma di tensione in ingresso 30V con le protezioni di sovratensione dell'input sostiene gli adattatori non regolati a basso costo.
Il bq25060 ha un singolo output di forza motrice che carica la batteria. Il carico di sistema è collegato a FUORI. I circuiti della partenza di sistema della basso batteria mantengono FUORI maggior di 3.4V ogni volta che una fonte di input è collegata. Ciò permette il sistema alla partenza ed al funzionamento ogni volta che una fonte di input è collegata indipendentemente dalla tensione della batteria. La corrente di carica è programmabile fino a 1A facendo uso dell'input di ISET. Ulteriormente, un 4.9V 50mA LDO è integrato in IC per i circuiti di fornitura di esterno di potere basso.
La batteria è caricata in tre fasi: tensione corrente e costante di condizionamento e costante. In tutte le fasi della tassa, un ciclo di controllo interno controlla la temperatura di giunzione di IC e riduce la corrente di carica se una soglia interna della temperatura è oltrepassata. La fase di potere del caricatore e le funzioni di senso di corrente di carica completamente è integrata. La funzione del caricatore ha i cicli della corrente e di regolazione del voltaggio di alta precisione, l'esposizione di stato della tassa e termine della tassa.
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
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NUMERO DEL PEZZO. |
MARCATURA |
MEDIUM |
QUANTITÀ |
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bq25060DQCR |
DAN |
Nastro e bobina |
3000 |
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bq25060DQCT |
DAN |
Nastro e bobina |
250 |
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PACCHETTO |
RqJA |
RqJC |
TUM< 25=""> |
RIDUCENDO LE IMPOSTE sui TUM di FATTORE = su 25°C DI CUI SOPRA |
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10 FIGLIO del × 3mm di Pin 2mm (1) |
58.7°C/W (2) |
3.9°C/W |
1.70W |
0.017W/°C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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