Regolatori di tensione di commutazione 250mA L VIN Buck Reg di IC della gestione del percorso di potere di LTC3549EDCB#TRPB in 2 x 3 DFN
microchip battery management
,battery charge management ic
Regolatori di tensione di commutazione 250mA L VIN Buck Reg di IC della gestione del percorso di potere di LTC3549EDCB#TRPB in 2 x 3 DFN
CARATTERISTICHE
-
1.6V a 5.5V la gamma di tensione in ingresso
-
Morbido inizio interno
-
Operazione bassa di Mode® di scoppio dell'ondulazione
Ondulazione dell'uscita: <20mvp-p>
Quoziente d'intelligenza: 50μA
-
operazione di Costante-frequenza 2.25MHz
-
Alta efficienza: Fino a 93%
-
corrente d'uscita 250mA (VIN = 1.8V, VOUT = 1.2V)
-
corrente dell'induttore del picco 450mA
-
Nessun diodo Schottky ha richiesto
-
Operazione bassa di interruzione procedura: Duty cycle di 100%
-
tensione di riferimento 0.611V
-
Stalla con i condensatori ceramici
-
Il modo di arresto disegna <1>
-
Operazione corrente di modo per la linea ed il carico eccellenti
Risposta transitoria
-
Protezione a temperatura eccessiva
-
Disponibile in un basso profilo (0.75mm) 6-Lead
(2mm x 3mm) pacchetto di DFN
APPLICAZIONI
-
2 applicazioni della Aa-cellula
-
Telefoni cellulari
-
Macchine fotografiche digitali
-
Lettori MP3
DESCRIPTIO
Il LTC®3549 è un'alta efficienza, il regolatore sincrono monolitico facendo uso di una costante-frequenza, l'architettura corrente del dollaro del modo. La tensione in uscita è regolato via un divisore esterno della resistenza.
Una frequenza di commutazione fissa di 2.25MHz è sostenuta. Questa frequenza di commutazione permette l'uso di piccoli induttori e condensatori di superficie del supporto, compreso ceramica.
Il rifornimento corrente durante l'operazione di trasferimento in burst è soltanto 50μA che cade a < 1="">
Il commutatore sincrono interno aumenta l'efficienza ed elimina l'esigenza di un diodo Schottky esterno. L'morbido inizio interno offre il tempo di aumento controllato di tensione in uscita alla partenza senza l'esigenza delle componenti esterne.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|
