La tensione di IC della gestione del percorso di potere ADR3430ARJZ-R7 fornisce di rimandi il Alto-CRNA forza Micro 3V
battery charge management ic
,power management integrated circuit
La tensione di IC della gestione del percorso di potere ADR3430ARJZ-R7 fornisce di rimandi il Alto-CRNA forza Micro 3V
CARATTERISTICHE
- Accuratezza iniziale: ±0.1% (massimo)
- Coefficiente di temperatura massima: 8 ppm/°C
- Gamma di temperatura di funzionamento: −40°C a +125°C
- Corrente d'uscita: +10 lavandino di mA source/−3 mA
- Corrente tranquilla bassa: 100 μA (massimo)
- Tensione bassa di interruzione procedura: 250 sistemi MV a 2 mA
- Rumore dell'uscita (0,1 hertz - 10 hertz): <10>
APPLICAZIONI
- Apparecchi medici dell'acquisizione dei dati di strumentazione industriale dei sistemi di precisione
- Dispositivi a pile
DESCRIZIONE GENERALE
I riferimenti di tensione di ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/CMOS, caratterizzanti accuratezza iniziale di ±0.1%, la corrente bassa di funzionamento e rumore basso dell'uscita in un piccolo pacchetto SOT-23. Per alta precisione, il coefficiente di temperatura e di tensione in uscita è sistemato digitalmente durante l'assemblea finale facendo uso di Analog Devices, l'inc, la tecnologia privata di DigiTrim®.
La stabilità e l'affidabilità del sistema più ulteriormente sono migliorate tramite l'isteresi bassa di tensione in uscita del dispositivo e della deriva a lungo termine bassa di tensione in uscita. Ancora, la corrente bassa di funzionamento del dispositivo (un massimo di 100 μA) facilita l'uso in dispositivi di potere basso ed i suoi aiuti bassi di rumore dell'uscita per mantenere l'integrità di segnale nei sistemi critici di elaborazione dei segnali.
Questo il CMOS è disponibile in una vasta gamma di tensioni in uscita, che sono specificate sopra la gamma di temperature industriale di −40°C a +125°C.
Scelte di riferimento di tensione della Tabella da Analog Devices
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Potere basso basso |
Potere ultrabasso |
A basso rumore |
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ADR130 |
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ADR3412 ADR280 |
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ADR360 ADR3420 |
REF191 |
ADR430 ADR440 |
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ADR3425 AD1582 ADR361 |
ADR291 REF192 |
ADR431 ADR441 |
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ADR3430 AD1583 ADR363 |
REF193 |
ADR433 ADR443 |
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ADR366 ADR3433 |
REF196 |
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ADR3440 AD1584 ADR364 |
ADR292 REF198 |
ADR434 ADR444 |
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ADR3450 AD1585 ADR365 |
ADR293 REF195 |
ADR435 ADR445 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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