Gestione di potere di IC della gestione del percorso di potere di LP2996AMRE/NOPB specializzata - regolatore di termine di PMIC RDT
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Gestione di potere di IC della gestione del percorso di potere di LP2996AMRE/NOPB specializzata - regolatore di termine di PMIC RDT
Caratteristiche 1
- 1.35V VDDQ minimo
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Fonte e corrente del lavandino
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Contrappeso basso di tensione in uscita
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Nessuna resistenza esterna ha richiesto
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Topologia lineare
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Sospenda a funzionalità del Ram (STREPTOCOCCO)
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Conteggio componente esterno basso
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Arresto termico
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LP2998/8Q ha raccomandato per -40°C a 125°C
2 applicazioni
- Tensione di termine di DDR1, di DDR2, di DDR3 e di DDR3L
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FPGA
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PC industriale/medico
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Termine SSTL-2 e SSTL-3
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Termine di HSTL
Descrizione 3
Il regolatore lineare di LP2996A è destinato per rispondere alle specifiche di JEDEC SSTL-2 per il termine del DDR SDRAM. Il dispositivo inoltre sostiene termine del bus di DDR2, di DDR3 e di DDR3L VTT con il min di VDDQ di 1.35V. Il dispositivo contiene un amplificatore operazionale ad alta velocità per fornire la risposta eccellente per caricare i passeggeri. Lo stadio di uscita impedisce il tiro attraverso mentre consegna i picchi correnti 1.5A e transitori continui fino a 3A nella domanda come richiesto di termine di DDR SDRAM. Il LP2996A inoltre incorpora un perno di VSENSE per fornire il regolamento superiore del carico e un'uscita di VREF come riferimento per il chipset e il DIMMs.
Una caratteristica supplementare trovata sul LP2996A è un perno basso attivo di arresto (deviazione standard) che fornisce sospende a funzionalità di RAM (STREPTOCOCCO). Quando la deviazione standard è minimo tirato l'uscita di VTT di tre stati fornendo un'alta uscita dell'impedenza, ma, VREF rimarrà attivo. Un vantaggio dei risparmi di energia può essere ottenuto in questo modo attraverso la corrente tranquilla più bassa.
Informazioni del dispositivo
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NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
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LP2996A |
COSÌ PowerPAD (8) |
4,89 millimetri x 3,90 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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