Riferimento della deriva 3.9uA Vltg di riferimenti 30ppm/C di tensione di IC della gestione del percorso di potere di REF3320AIDBZR
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Riferimento della deriva 3.9uA Vltg di riferimenti 30ppm/C di tensione di IC della gestione del percorso di potere di REF3320AIDBZR
Caratteristiche 1
- Pacchetti di Microsize: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8
-
Corrente bassa del rifornimento: 3,9 μA (tipo)
-
Estremamente - tensione bassa di interruzione procedura: 110 sistemi MV (tipo)
-
Corrente ad alto rendimento: ±5 mA
-
Deriva di bassa temperatura: 30 ppm/°C (massimi)
-
Alta accuratezza iniziale: ±0.15% (massimo)
-
0.1-Hz a rumore 10-Hz: 35 μVPP (REF3312)
-
Opzioni di tensione: 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V
2 applicazioni
-
Attrezzatura portatile
-
Compresse e Smartphones
-
Drive del hard disk
-
Moduli del sensore
-
Sistemi dell'acquisizione dei dati
-
Attrezzatura medica
-
Attrezzatura di prova
Descrizione 3
Il REF33xx è un a bassa potenza, una precisione, famiglia di riferimento di tensione di basso interruzione procedura disponibile in pacchetti minuscoli SC70-3 e SOT-23-3 e 1,5 in un pacchetto di millimetro UQFN-8 del × 1,5 di millimetro. Piccola dimensione e basso consumo energetico (5-μA massimo) fare l'ideale di REF33xx per un'ampia varietà di applicazioni portatili ed a pile.
Il REF33xx può essere azionato ad una tensione di rifornimento 180 sistemi MV sopra la tensione in uscita specificata negli stati del carico normale, ad eccezione del REF3312, che ha una tensione di rifornimento minima di 1,7 V. Tutti i modelli sono specificati per l'ampia gamma di temperature – di 40°C a +125°C.
Informazioni del dispositivo
|
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
|
REF33xx |
SOT-23 (3) |
2,92 millimetri di × 1,30 millimetri |
|
SC70 (3) |
2,00 millimetri di × 1,25 millimetri |
|
|
UQFN (8) |
1,50 millimetri di × 1,50 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|