La tensione programmabile del ICS di logica di TXS0108EPWR 3,6 V livella 4B lo scolo aperto 1,2 Mbps
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
Traduttore programmabile del livello dei livelli di tensione del ICS di logica di TXS0108EPWR 4B Bidirec Vltg-
Caratteristiche 1
- Nessun segnale Direzione controllo ha avuto bisogno di
- Tassi di dati massimi
- – 110 Mbps (in opposizione)
- – 1,2 Mbps (scolo aperto)
- 1.2Vto3.6VonAPortand1.65Vto5.5VonB porto (≤ VCCB di VCCA)
- Nessun ordinamento dell'alimentazione di corrente richiesto – VCCA o VCCB può essere dilagatoe in primo luogo
- La prestazione del fermo-Su supera 100 mA per JESD 78, classe II
- La protezione di ESD supera JESD 22 (porto di A)
- – 2000 modelli del corpo umano di V (A114-B)
- – Modello di macchina di 150 V (A115-A)
- – Modello del Fare pagare-dispositivo di 1000 V (C101)
- IEC 61000-4-2 ESD (porto di B)
- – scarico del contatto di ±8 chilovolt
- – scarico dell'intraferro di ±6 chilovolt
2 applicazioni
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Microtelefoni
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Smartphones
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Compresse
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Pc da tavolino
Descrizione 3
Questo 8 bit che inverte il traduttore utilizza due rotaie configurabili separate dell'alimentazione di corrente. Il porto di A segue la tensione di rifornimento del perno di VCCA. Il perno di VCCA accetta qualunque tensione di rifornimento fra 1,2 V e 3,6 V. Il porto di B segue la tensione di rifornimento del perno di VCCB. Il perno di VCCB accetta qualunque tensione di rifornimento fra 1,65 V e 5,5 V. Due perni del rifornimento dell'input tiene conto la traduzione bidirezionale di bassa tensione fra c'è ne delle 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V e 5 nodi di tensione di V.
Quando uscita-permetta all'input (OE) è basso, tutte le uscite è disposto (ciao-z) nello stato ad alta impedenza.
per assicurare ciao-z lo stato durante il ciclo iniziale o spegnere i periodi, legame OE a terra tramite una resistenza abbattuta. Il valore minimo della resistenza è determinato dalla capacità di corrente-sourcing del driver.
Informazioni del dispositivo
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NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
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TXS0108EPW |
TSSOP (20) |
6,50 millimetri di × 6,40 millimetri |
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TXS0108ERGY |
VQFN (20) |
4,50 millimetri di × 3,50 millimetri |
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TXS0108EZXY |
UFBGA (20) |
3,00 millimetri di × 2,50 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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