Gate array programmabile FPGA - ciclone II 1172 di logica di EP2C20F484C8N EP2C35F484C6N EP2C5F256I8 del campo programmabile del ICS
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
Gate array programmabile FPGA - ciclone II di logica di EP2C20F484C8N EP2C35F484C6N EP2C5F256I8 del campo programmabile del ICS 1172 IOS dei laboratori 315
I dispositivi del ciclone II sostengono l'unità di elaborazione incastonata II di Nios che permette che implementiate la abitudine-misura inclusa elaborando le soluzioni. I dispositivi del ciclone II possono anche ampliare l'insieme, la memoria, l'ingresso/uscita, o la prestazione periferico delle unità di elaborazione incastonate. Singolo o le unità di elaborazione incastonate di Nios II multiplo possono essere destinate in un dispositivo del ciclone II per fornire il potere d'elaborazione supplementare o persino per sostituire le unità di elaborazione incastonate attuali nel vostro sistema. Facendo uso del ciclone II e di Nios II tenga conto insieme le soluzioni d'elaborazione incluse a basso costo e ad alto rendimento, che permettono che estendiate il vostro ciclo di vita del prodotto e miglioriate il time to market sopra le soluzioni standard del prodotto.
Soluzioni d'elaborazione incluse a basso costo
(1) Il EP2C15A è soltanto disponibile con il veloce sulla caratteristica, che offre un tempo più veloce di POR. Questo dispositivo è disponibile dentro
sia grado commerciale che industriale.
(2) I EP2C5, I EP2C8 e I EP2C20 facoltativamente sostengono il veloce sulla caratteristica, che è designata con «A» in
codice di ordinazione del dispositivo. Il EP2C5A è soltanto disponibile nel grado automobilistico della velocità. Il EP2C8A e il EP2C20A
i dispositivi sono soltanto disponibili nel grado industriale.
(3) questo è il numero totale di 18 moltiplicatori del × 18. Per il numero totale di 9 moltiplicatori del × 9 per dispositivo, moltiplichi
un numero totale di 18 moltiplicatori del × 18 da 2.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|