Gate array programmabile FPGA - Stratix II di logica di EP2S180F1020C3N del campo programmabile del ICS 8970 IOS dei laboratori 742
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
Gate array programmabile FPGA - Stratix II di logica di EP2S180F1020C3N del campo programmabile del ICS 8970 IOS dei laboratori 742
Caratteristiche
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15.600 a 179.400 LEs equivalente; vedi la tabella 1-1
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Nuovo e modulo di logica adattabile innovatore (ALM), il di base
la particella elementare dell'architettura di Stratix II, massimizza la prestazione
ed efficienza di uso delle risorse
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Fino a 9.383.040 bit di RAM (1.172.880 byte) disponibili senza
riduzione delle risorse di logica
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Memoria di TriMatrix che consiste di tre dimensioni blocco di RAM per implementare
veri memoria della doppia porta e primo/in fuori amplificatori primi-fuori primi (FIFO)
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I blocchetti ad alta velocità di DSP forniscono l'implementazione dedicata di
i moltiplicatori (a fino a 450 megahertz), moltiplicare-accumulano le funzioni e
filtri limitati da risposta di impulso (ABETE)
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Fino a 16 orologi globali con 24 risorse di sincronizzazione per regione del dispositivo
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I blocchi di controllo dell'orologio sostengono la rete dinamica dell'orologio permettono a/disattivano,
che permette che le reti dell'orologio spengano per ridurre il potere
consumo nel modo dell'utente
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Fino a 12 PLLs (quattro hanno migliorato PLLs ed otto PLLs veloce) per dispositivo
fornisca lo spettro sparso, la larghezza di banda programmabile, orologio cambiano, riconfigurazione in tempo reale di PLL ed avanzato di sfasamento e di moltiplicazione
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Contributo alle numerose norme asimmetriche e differenziali dell'ingresso/uscita
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Supporto differenziale ad alta velocità dell'ingresso/uscita con i circuiti delle DPA per 1-Gbps
prestazione
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Contributo a rete ed al bus di comunicazione ad alta velocità
norme compreso RapidIO parallelo, SPI-4 fase 2 (POS-PHY
Tecnologia del Livello 4), di HyperTransportTM e SFI-4
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Contributo alla memoria esterna ad alta velocità, compreso la RDT e DDR2
SDRAM, RLDRAM II, QDR II SRAM e DSR SDRAM
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Contributo ai megafunctions multipli della proprietà intellettuale da
Funzioni di Altera MegaCore® e partner di Altera Megafunction
Megafunctions di programma (AMPPSM)
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Contributo a sicurezza di progettazione facendo uso di flusso di bit di configurazione
crittografia
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Contributo agli aggiornamenti di configurazione a distanza
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Tabella 1-1. Caratteristiche della famiglia di Stratix II FPGA |
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Caratteristica |
EP2S15 |
EP2S30 |
EP2S60 |
EP2S90 |
EP2S130 |
EP2S180 |
|
Elemosine |
6.240 |
13.552 |
24.176 |
36.384 |
53.016 |
71.760 |
|
Tavole di occhiata adattabili (ALUTs) (1) |
12.480 |
27.104 |
48.352 |
72.768 |
106.032 |
143.520 |
|
LEs equivalente (2) |
15.600 |
33.880 |
60.440 |
90.960 |
132.540 |
179.400 |
|
Blocchetti di M512 RAM |
104 |
202 |
329 |
488 |
699 |
930 |
|
Blocchetti di M4K RAM |
78 |
144 |
255 |
408 |
609 |
768 |
|
Blocchetti di M-RAM |
0 |
1 |
2 |
4 |
6 |
9 |
|
Pezzi totali di RAM |
419.328 |
1.369.728 |
2.544.192 |
4.520.488 |
6.747.840 |
9.383.040 |
|
Blocchetti di DSP |
12 |
16 |
36 |
48 |
63 |
96 |
|
moltiplicatori pungenti del × 18 di 18 bit (3) |
48 |
64 |
144 |
192 |
252 |
384 |
|
PLLs migliorato |
2 |
2 |
4 |
4 |
4 |
4 |
|
PLLs veloce |
4 |
4 |
8 |
8 |
8 |
8 |
|
Perni massimi dell'ingresso/uscita dell'utente |
366 |
500 |
718 |
902 |
1.126 |
1.170 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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