16 bit di tre stati di logica di SN74LVTH16245ADGGR del ICS dei ricetrasmettitori programmabili ABT del bus
16 bit di tre stati di logica di SN74LVTH16245ADGGR del ICS dei ricetrasmettitori programmabili ABT del bus
CARATTERISTICHE
• Membri della famiglia di Texas Instruments WidebusTM
• Progettazione avanzata avanzata di tecnologia di BiCMOS (ABT) per l'operazione 3.3-V e la dissipazione forza statica bassa
• Operazione misto del segnale di sostegno (input 5-V e tensioni in uscita con 3.3-V VCC)
• Alimentazione a batteria non regolata di sostegno giù a 2,7 V
• VOLP tipico (rimbalzo al suolo dell'uscita) <0>
1B7 • Attraversi l'architettura ottimizza il PWB 1B8
• Ioff ed inserzione calda di sostegno inizio ciclo 3-State
• La tenuta del bus sulle immissioni dei dati elimina l'esigenza delle resistenze esterne Pulldown/di Pullup
• La prestazione del fermo-Su supera 500 mA per JESD 17
• La protezione di ESD supera JESD 22 – modello di macchina 200-V (A115-A)
INFORMAZIONI DI DESCRIPTION/ORDERING
“I dispositivi di LVTH16245A sono 16 bit (doppio-ottale) che noninverting 3 ricetrasmettitori dello stato destinati per (3.3-V) l'operazione a bassa tensione VCC, ma con la capacità per fornire un'interfaccia di TTL ad un ambiente operativo 5-V.
I dispositivi sono progettati per la comunicazione asincrona fra due canali omnibus di dati. I livelli logici dell'input direzione controllo (DIR) ed uscita-permettono all'input (OE) per attivare le uscite del B-porto o le uscite del Un-porto o per disporre entrambi i porti di uscita nel modo ad alta impedenza. Il dispositivo trasmette i dati dal bus di A al bus di B quando le uscite del B-porto sono attivate e dal bus di B al bus di A quando le uscite del Un-porto sono attivate. I circuiti dell'input sia sui porti di B che di A sono sempre attivi e devono avere un ALTO o applicato a basso livello di logica per impedire gli eccessi ICC e ICCZ.
I circuiti attivi della bus-tenuta giudicano inutilizzato o undriven gli input ad uno stato valido di logica. L'uso delle resistenze di pulldown o di pullup con i circuiti della bus-tenuta non è raccomandato.
Quando VCC è fra 0 e 1,5 V, i dispositivi sono nello stato ad alta impedenza durante il potere su o spengono. Tuttavia, per assicurare lo stato ad alta impedenza superiore a 1,5 V, OE dovrebbe essere legato a VCC tramite una resistenza pullup; il valore minimo della resistenza è determinato dalla capacità d'affondamento del driver.
Questi dispositivi completamente sono specificati per le applicazioni di caldo-inserzione facendo uso di Ioff e dello stato inizio ciclo 3. I circuiti di Ioff disattivano le uscite, impedicenti danneggiando il riflusso corrente tramite i dispositivi quando sono spente. I circuiti inizii ciclo di 3 stati dispongono le uscite nello stato ad alta impedenza durante il potere su e spengono, che impedisce il conflitto del driver.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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