Circuiti integrati MCU 433 di memoria flash rf di CC1310F128RHBR 868 915 megahertz ULP MCU
microwave integrated circuits
,integrated circuit chip
Circuiti integrati MCU 433 di CC1310F128RHBR rf 868 915 megahertz ULP MCU senza fili
Caratteristiche 1
Microcontroller
– Unità di elaborazione potente di Arm® Cortex®-M3
– Punteggio di EEMBC CoreMark®: 142
– Punteggio di EEMBC ULPBenchTM: 158
– L'orologio si accelera a 48-MHz
– 32KB, 64KB e 128KB del In-sistema
Flash programmabile– 8KB di SRAM per il nascondiglio
(o come RAM per tutti gli usi)– 20KB di Ultra-Basso-perdita SRAM
– cJTAG 2-Pin e ricerca degli errori di JTAG
– Supporti sopra - l'aggiornamento dell'aria (OTA)
2 applicazioni
sistemi 315-, di 433-, di 470-, di 500-, di 779-, di 868-, di 915-, di DOTTRINA 920-MHz e di SRD
Sistemi senza fili a bassa potenza
Con 50-kHz a gioco di Manica 5-MHzAutomazione domestica e di costruzione
Allarme e sistemi di sicurezza senza fili
Controllo industriali
Griglia e lettura automatica del contatore astute
Applicazioni senza fili di sanità
Descrizione 3
Il dispositivo CC1310 è un redditizio, forza ultra basso, Sub-1 dispositivo del gigahertz rf dal Texas InstrumentsTM che fa parte della piattaforma del microcontroller di SimpleLinkTM (MCU). La piattaforma consiste energia bassa del ® di Bluetooth, dei Wi-Fi®, gigahertz Sub-1, Ethernet, Zigbee®, filo ed ospite MCUs. Questi dispositivi tutti dividono un ambiente di sviluppo comune e di facile impiego con un singolo corredo di sviluppo di software del centro (SDK) e un set di strumenti ricco. Un'integrazione di una volta della piattaforma di SimpleLink permette agli utenti di aggiungere tutta la combinazione di dispositivi dalla cartella nella loro progettazione, concedendo 100 per cento di riutilizzazione di codice quando i requisiti di progettazione cambiano. Per più informazioni, visita www.ti.com/simplelink.
Con il consumo corrente attivo molto basso di MCU e di rf, oltre ai modi a bassa potenza flessibili, il dispositivo CC1310 fornisce la durata di vita della batteria eccellente e permette l'operazione a lungo raggio sulle piccole batterie della moneta-cellula e nell'energia che raccoglie le applicazioni.
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO | PACCHETTO | DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
CC1310F128RGZ | VQFN (48) | 7,00 millimetri di × 7,00 millimetri |
CC1310F128RHB | VQFN (32) | 5,00 millimetri di × 5,00 millimetri |
CC1310F128RSM | VQFN (32) | 4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |
CC1310F64RGZ | VQFN (48) | 7,00 millimetri di × 7,00 millimetri |
CC1310F64RHB | VQFN (32) | 5,00 millimetri di × 5,00 millimetri |
CC1310F64RSM | VQFN (32) | 4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |
CC1310F32RGZ | VQFN (48) | 7,00 millimetri di × 7,00 millimetri |
CC1310F32RHB | VQFN (32) | 5,00 millimetri di × 5,00 millimetri |
CC1310F32RSM | VQFN (32) | 4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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